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    Synthesis of TlP and indium thallium phosphide
    CHANDVANKAR, S. S ; SHARMA, T. K ; et al.
    In: Physics of semiconductor devices (Delhi, 14-18 December 1999), 2000, S. 215-218
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Liquid phase epitaxy photoluminescence and photoelectrical properties of variband (Ge2)1-x(ZnSe)x layers
    SAIDOV, M. S ; SAIDOV, A. S ; et al.
    In: Physics of semiconductor devices (Delhi, 14-18 December 1999), 2000, S. 1424-1427
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Transport properties of In0.53Ga0.47As layers grown from Er containing melts
    DHAR, S ; PAUL, S
    In: Physics of semiconductor devices (Delhi, 14-18 December 1999), 2000, S. 219-221
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Electrical properties and electroluminescence of GaP Light Emitting Diode
    MIR MAYINUDDIN MOHAMMAD JAMIL, AKHTER ; SANKAR LAL, SAHA ; et al.
    In: Physics of semiconductor devices (Delhi, 14-18 December 1999), 2000, S. 243-246
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -