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    Preparation of a CVD thin film by an atmospheric pressure low temperature surface discharge plasma torch
    Kuwabara, A. ; Kuroda, S. i. ; et al.
    In: PLASMA SOURCES SCIENCE AND TECHNOLOGY, Jg. 15 (2006), Heft 3, S. 328-331
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    Influence of the power on the processes controlling the formation of ECR-CVD carbon nitride films from CH~4/Ar/N~2 plasmas
    Camero, M. ; Gordillo-Vazquez, F. J. ; et al.
    In: PLASMA SOURCES SCIENCE AND TECHNOLOGY, Jg. 13 (2004), Heft 1, S. 121-126
    Online serialPeriodical
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    Modelling of a microwave flowing oxygen discharge: application to remote plasma enhanced CVD of silica films
    Tristant, P. ; Gousset, G. ; et al.
    In: PLASMA SOURCES SCIENCE AND TECHNOLOGY, Jg. 11 (2002), Heft 3, S. 241-247
    Online serialPeriodical
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    Dominant SiH~x radicals in electron cyclotron resonance plasma CVD : International Workshop on Plasma Sources and Surface Interactions in Materials Processing
    Zhang, M. ; Nakayama, Y.
    In: PLASMA SOURCES SCIENCE AND TECHNOLOGY, Jg. 5 (1996), Heft 2, S. 260-264
    Online serialPeriodical
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    Fabrication of diamond films at low temperature by pulse-modulated magneto-active microwave plasma CVD : International Workshop on Plasma Sources and Surface Interactions in Materials Processing
    Hatta, A. ; Suzuki, H. ; et al.
    In: PLASMA SOURCES SCIENCE AND TECHNOLOGY, Jg. 5 (1996), Heft 2, S. 235-240
    Online serialPeriodical
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    Preparation of a CVD thin film by an atmospheric pressure low temperature surface discharge plasma torch
    Kubota, Hitoshi ; Kuwabara, Atsushi ; et al.
    In: Plasma Sources Science and Technology, Jg. 15 (2006-04-13), S. 328-331
    Online unknown
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    Modelling of a microwave flowing oxygen discharge: application to remote plasma enhanced CVD of silica films
    Regnier, C. ; Gousset, G ; et al.
    In: Plasma Sources Science and Technology, Jg. 11 (2002-05-18), S. 241-247
    Online unknown
    Zugriff:
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    Deposition mechanisms of a-SiGe:H films in pulse-discharge CVD
    Sasaki, T ; Kito, H ; et al.
    In: Plasma Sources Science and Technology, Jg. 2 (1993-02-01), S. 30-34
    Online unknown
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    Synthesis of diamond on substrate with mechanical treatment by RF plasma CVD method
    Mutsukura, N ; Kobayashi, Kenji ; et al.
    In: Plasma Sources Science and Technology, Jg. 2 (1993-02-01), S. 18-22
    Online unknown
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    Fabrication of diamond films at low temperature by pulse-modulated magneto-active microwave plasma CVD
    Takanobu, Ito ; Hiraki, Akio ; et al.
    In: Plasma Sources Science and Technology, Jg. 5 (1996-05-01), S. 235-240
    Online unknown
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    Chemical analysis of H2–B2H6and H2–CH4–B2H6microwave CVD plasmas used for diamond deposition
    Rond, Catherine ; Lombardi, Guillaume ; et al.
    In: Plasma Sources Science and Technology, Jg. 25 (2016-02-26), S. 025016-25016
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Analysis and modelling of plasma enhanced CVD reactors. I. Two-dimensional treatment of a-Si:H deposition
    Layeillon, L ; J P Couderc ; et al.
    In: Plasma Sources Science and Technology, Jg. 3 (1994-02-01), S. 61-71
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Analysis and modelling of plasma enhanced CVD reactors. II. Model improvement and systematic use
    Layeillon, L ; J P Couderc ; et al.
    In: Plasma Sources Science and Technology, Jg. 3 (1994-02-01), S. 72-79
    Online unknown
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    On the formation mechanisms of the diffuse atmospheric pressure dielectric barrier discharge in CVD processes of thin silica-like films
    Starostin, S.A. ; Premkumar, P.A. ; et al.
    In: PLASMA SOURCES SCIENCE AND TECHNOLOGY, Jg. 18 (2009), Heft 4, S. 045021-45021
    Online serialPeriodical
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Foundations of atomic-level plasma processing in nanoelectronics
    Arts, Karsten ; Hamaguchi, Satoshi ; et al.
    In: Plasma Sources Science and Technology, Jg. 31 (2022-10-01), S. 103002-103002
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Calculation of electron-impact ionization cross sections of perfluoroketone (PFK) molecules CxF2xO (x = 1–5) based on Binary-Encounter-Bethe (BEB) and Deutsch-Märk (DM) methods
    Wang, Xiaohua ; Zhong, Linlin ; et al.
    In: Plasma Sources Science and Technology, Jg. 27 (2018-09-14), S. 095005-95005
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Growth, trapping and abatement of dielectric particles in PECVD systems
    Taylor, W. N. ; Fodor, Mark ; et al.
    In: Plasma Sources Science and Technology, Jg. 6 (1997-08-01), S. 405-414
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Spectroscopic studies on preparation of silicon oxide films by PECVD using organosilicon compounds
    Inoue, Y ; Takai, O
    In: Plasma Sources Science and Technology, Jg. 5 (1996-05-01), S. 339-343
    Online unknown
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    Frequency effects in processing plasmas of the VHF band
    Oda, Shunri
    In: Plasma Sources Science and Technology, Jg. 2 (1993-02-01), S. 26-29
    Online unknown
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    Energy distributions of H and H2in a Ar–SiH4–H2plasma during transition from a-Si to nc-Si film deposition
    Moiseev, T
    In: Plasma Sources Science and Technology, Jg. 20 (2011-02-28), S. 025007-25007
    Online unknown
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