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    Use of real-time ion-mass spectrometry and discharge voltage trending for analysis of a-Si DC plasma CVD processes
    GANGULY, G ; NEWTON, J ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part A, Jg. 299302 (2002), S. 53-57
    Konferenz
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    Growth and characterization of microcrystalline silicon-germanium films
    MIYAZAKI, S ; TAKAHASHI, H ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part A, Jg. 299302 (2002), S. 148-152
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Direct formation of crystalline silicon films on an amorphous substrate from chlorinated materials by plasma-enhanced chemical vapor deposition
    SHIRAI, Hajime ; JUNG, Sughoan ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part A, Jg. 299302 (2002), S. 118-122
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Properties of Si:H thin films deposited by rf-PECVD of silane-argon mixtures with variation of the plasma condition
    PARTHA PRATIM, RAY ; NAMITA DUTTA, GUPTA ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part A, Jg. 299302 (2002), S. 123-127
    Konferenz
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    Phase diagrams for Si:H film growth by plasma-enhanced chemical vapor deposition
    FERLAUTO, A. S ; KOVAL, R. J ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part A, Jg. 299302 (2002), S. 68-73
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Mechanism of argon treatment on a growing surface in layer-by-layer deposition of hydrogenated amorphous silicon
    BIEBERICHER, A. C. W ; VAN DER WEG, W. F ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part A, Jg. 299302 (2002), S. 74-78
    Konferenz
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    Ion bombardment effects on the microcrystalline silicon growth mechanisms and structure
    KALACHE, B ; KOSAREV, A. I ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part A, Jg. 299302 (2002), S. 63-67
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Hydrogen related bonding structure in hydrogenated polymorphous and microcrystalline silicon
    VIGNOLI, S ; FONTCUBERTA I MORRAL, A ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part A, Jg. 299302 (2002), S. 220-225
    Konferenz
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    Growth of microcrystalline silicon films using deuterium dilution
    SUZUKI, S ; KONDO, M ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part A, Jg. 299302 (2002), S. 93-97
    Konferenz
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    Fluorine and hydrogen effects on the growth and transport properties of microcrystalline silicon from SiF4 precursor
    KASOUIT, S ; KUMAR, S ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part A, Jg. 299302 (2002), S. 113-117
    Konferenz
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    Complex dynamics during the reactive scattering of Si+ (2P) and H2
    CHAABANE, Nihed ; VACH, Holger ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part A, Jg. 299302 (2002), S. 42-47
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Influence of electron and proton irradiation on the electronic properties of microcrystalline silicon
    BRÜGGEMANN, R ; KLEIDER, J. P ; et al.
    In: Proceedings of the 19th international conference on amorphous and microcrystalline semiconductors - science and technology (ICAMS 19), Nice, France, August 27-31, 2001. Part A, Jg. 299302 (2002), S. 632-636
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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