Zum Hauptinhalt springen
UB Hagen

Suchergebnisse

UB Katalog

Artikel & mehr
22 Treffer

Suchmaske

Suchtipp für den Bereich Artikel & mehr: Wörter werden automatisch mit UND verknüpft. Eine ODER-Verknüpfung erreicht man mit dem Zeichen "|", eine NICHT-Verknüpfung mit einem "-" (Minus) vor einem Wort. Anführungszeichen ermöglichen eine Phrasensuche.
Beispiele: (burg | schloss) -mittelalter, "berufliche bildung"

Das folgende Suchfeld wird hier nicht unterstützt: "Signatur / Strichcode".

Suchergebnisse einschränken oder erweitern

Aktive Suchfilter

Erscheinungszeitraum

Mehr Treffer

Weniger Treffer

Gefunden in

Art der Quelle

Schlagwort

Sprache

22 Treffer

Sortierung: 
  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Reaction mechanism of silicon Cat-CVD
    NAKAMURA, S ; MATSUMOTO, K ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 919-924
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Study of CNTs and nanographite grown by thermal CVD using different precursors
    PORRO, S ; MUSSO, S ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 1310-1313
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Influences of GeF4 on poly-SiGe films prepared by reactive thermal CVD
    ZHANG, J. J ; SHIMIZU, K ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 1275-1278
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Synthesis of polycrystalline silicon thin films with 'icosahedral' symmetry by ceramics hot wire chemical vapor deposition
    MIDDYA, A. R ; LIANG, J.-J ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 1008-1010
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Advances in hot wire chemical vapor deposition technology for the synthesis of novel silicon thin films materials
    MIDDYA, A. R
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 925-927
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Undoped and arsenic-doped low temperature (∼165 °C) microcrystalline silicon for electronic devices process
    KANDOUSSI, K ; SIMON, C ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 968-971
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Thermodynamic analysis of gas phase chemistry in hot wire chemical vapor deposition of a-Si:H and μc-Si:H
    ADHIKARI, Subhra ; VISWANATHAN, N. N ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 928-932
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Substrate temperature dependence of microcrystalline silicon growth by PECVD technique
    MUKHOPADHYAY, Sumita ; CHOWDHURY, Amartya ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 1045-1048
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Scaling properties of growing surfaces of microcrystalline silicon
    TOYAMA, T ; KITAGAWA, T ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 941-944
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Relative importance of hydrogen atom flux and ion bombardment to the growth of μc-Si:H thin films
    LYKA, B ; AMANATIDES, E ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 1049-1054
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    New insights in microcrystalline silicon deposition with expanding thermal plasma chemical vapor deposition
    VAN SWAAIJ, R. A. C. M. M ; ZAMBRANO, R. Jiménez ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 933-936
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Nanocrystalline cubic silicon carbide films prepared by hot-wire chemical vapor deposition using SiH4/CH4/H2 at a low substrate temperature
    KOMURA, Y ; TABATA, A ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 1367-1370
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Model for the amorphous roughening transition in amorphous semiconductor deposition
    PODRAZA, N. J ; WRONSKI, C. R ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 950-954
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Microstructure analysis of a-SiC:H thin films grown by high-growth-rate PECVD
    RICCIARDI, C ; PRIMICELI, A ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 1380-1383
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Microcrystalline silicon prepared at magnetic field modified nucleation
    KOCKA, J ; MATES, T ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 901-905
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Large grain μc-Si:H films deposited at low temperature : Growth process and electronic properties
    ABRAMOV, A ; DJERIDANE, Y ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 964-967
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Hydrogenated silicon carbon nitride films obtained by HWCVD, PA-HWCVD and PECVD techniques
    FERREIRA, I ; FORTUNATO, E ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 1361-1366
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Dynamics of low temperature PECVD growth of microcrystalline silicon thin films : Impact of substrate surface treatments
    LOSURDO, M ; GIANGREGORIO, M. M ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 906-910
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A comparative analysis of silicon dioxide films deposited by ECR-PECVD, TEOS-PECVD and Vapox-APCVD
    PECORA, A ; MAIOLO, L ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 1430-1433
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    PECVD growth of Six:Ge1-x films for high speed devices and MEMS
    KANNAN, Srinivasan ; TAYLOR, Craig ; et al.
    In: Proceedings of the 21st International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors-Science and Technology (ICANS 21), Jg. 352 (2006), Heft 9-20, S. 1272-1274
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -