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    Highly reliable low-/spl epsiv/ (3.3) SiOF HDP-CVD for subquarter-micron CMOS applications
    Fukuda, T. ; Hosokawa, T. ; et al.
    In: Proceedings of the IEEE 1998 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.98EX102), 1998, S. 42-44
    Konferenz
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    Comparison of PECVD-WN/sub x/ and CVD-TiN films for the upper electrode of Ta/sub 2/O/sub 5/ capacitors
    Park, B. L. ; Lee, M. B. ; et al.
    In: Proceedings of the IEEE 1998 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.98EX102), 1998, S. 96-98
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A novel low temperature CVD/PVD Al filling process for producing highly reliable 0.175 /spl mu/m wiring/0.35 /spl mu/m pitch dual damascene interconnections in gigabit scale DRAMs
    Clevenger, L.A. ; Costrini, G. ; et al.
    In: Proceedings of the IEEE 1998 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.98EX102), 1998, S. 137-139
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Uniform (111) textured Cu CVD on vacuum annealed Cu seed layer
    Ueno, K. ; Sekiguchi, A. ; et al.
    In: Proceedings of the IEEE 1998 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.98EX102), 1998, S. 119-121
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    CVD Cu process integration for sub-0.25 /spl mu/m technologies
    Zhang, J. ; Denning, D. ; et al.
    In: Proceedings of the IEEE 1998 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.98EX102), 1998, S. 163-165
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of the HDP-CVD oxide as interlayer dielectric material for sub-quarter micron CMOS
    Kim, J.W. ; Lee, J.B. ; et al.
    In: Proceedings of the IEEE 1998 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.98EX102), 1998, S. 274-276
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A method for improving the adhesion of PE-CVD SiO/sub 2/ to Cyclotene/sup TM/ 5021 polymeric interlayer dielectric
    Shaffer, E.O., II. ; Mills, M.E. ; et al.
    In: Proceedings of the IEEE 1998 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.98EX102), 1998, S. 223-225
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    CVD copper metal for poly-Si thin film transistor
    He, S. ; Nguyen, T.
    In: Proceedings of the IEEE 1998 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.98EX102), 1998, S. 301-303
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Integration study of benzocyclobutene with CVD-based aluminum metallization
    Gundlach, H. ; Knorr, A. ; et al.
    In: Proceedings of the IEEE 1998 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.98EX102), 1998, S. 277-279
    Konferenz
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    Nitrogen effect on post-nucleation tungsten CVD film growth
    Petri, R. ; Hauf, H. ; et al.
    In: Proceedings of the IEEE 1998 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.98EX102), 1998, S. 202-204
    Konferenz
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    A manufacturable embedded fluorinated SiO/sub 2/ for advanced 0.25 /spl mu/m CMOS VLSI multilevel interconnect applications
    Pai, C.S. ; Velaga, A.N. ; et al.
    In: Proceedings of the IEEE 1998 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.98EX102), 1998, S. 39-41
    Konferenz
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    Etch/metallization process sequence integration-impact of Al texture on Al etch performance
    Yan, C. ; Stokes, J. ; et al.
    In: Proceedings of the IEEE 1998 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.98EX102), 1998, S. 268-270
    Konferenz
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    Impact of low pressure long throw sputtering method on submicron copper metallization
    Saito, T. ; Ohashi, N. ; et al.
    In: Proceedings of the IEEE 1998 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.98EX102), 1998, S. 160-162
    Konferenz
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    Study on the stability of HDP-SiOF film and IMD application for 0.25 /spl mu/m LSI device
    Shin, H.J. ; Kim, S.J. ; et al.
    In: Proceedings of the IEEE 1998 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.98EX102), 1998, S. 211-213
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Adhesion of fluorinated amorphous carbon to various materials [metallisation]
    Mountsier, T.W. ; Samuels, J.A.
    In: Proceedings of the IEEE 1998 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.98EX102), 1998, S. 280-282
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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