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    SiC/Si heteroepitaxial growth
    KITABATAKE, M
    In: Proceedings of the International Joint Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (IJC-Si), 12-17 September, 1999, Miyagi, Japan, Jg. 369 (2000), Heft 1-2, S. 257-264
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Formation of strained-silicon layer on thin relaxed-SiGe/SiO2/Si structure using SIMOX technology
    SUGIYAMA, N ; MIZUNO, T ; et al.
    In: Proceedings of the International Joint Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (IJC-Si), 12-17 September, 1999, Miyagi, Japan, Jg. 369 (2000), Heft 1-2, S. 199-202
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Strain-driven modification of the Ge/Si growth mode in stacked layers : a way to produce Ge islands having equal size in all layers
    VINH LE, THANH ; YAM, V ; et al.
    In: Proceedings of the International Joint Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (IJC-Si), 12-17 September, 1999, Miyagi, Japan, Jg. 369 (2000), Heft 1-2, S. 43-48
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Si1-xGex selective epitaxial growth for ultra-high-speed self-aligned HBTs
    ODA, K ; OHUE, E ; et al.
    In: Proceedings of the International Joint Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (IJC-Si), 12-17 September, 1999, Miyagi, Japan, Jg. 369 (2000), Heft 1-2, S. 358-361
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Low-temperature growth of in situ phosphorus-doped silicon films : two-step growth utilizing amorphous silicon buffers
    SHIM, K.-H ; KIM, H.-S ; et al.
    In: Proceedings of the International Joint Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (IJC-Si), 12-17 September, 1999, Miyagi, Japan, Jg. 369 (2000), Heft 1-2, S. 185-188
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Epitaxial growth of heavily B-doped SiGe films and interfacial reaction of Ti/B-doped SiGe bilayer structure using rapid thermal processing
    OKADA, M ; KAMIOKA, H ; et al.
    In: Proceedings of the International Joint Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (IJC-Si), 12-17 September, 1999, Miyagi, Japan, Jg. 369 (2000), Heft 1-2, S. 130-133
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Epitaxial growth of Si1-x-yGexCy film on Si(100) in a SiH4-GeH4-CH3SiH3 reaction
    ICHIKAWA, A ; HIROSE, Y ; et al.
    In: Proceedings of the International Joint Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (IJC-Si), 12-17 September, 1999, Miyagi, Japan, Jg. 369 (2000), Heft 1-2, S. 167-170
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Control of self-assembling formation of nanometer silicon dots by low pressure chemical vapor deposition
    MIYAZAKI, S ; HAMAMOTO, Y ; et al.
    In: Proceedings of the International Joint Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (IJC-Si), 12-17 September, 1999, Miyagi, Japan, Jg. 369 (2000), Heft 1-2, S. 55-59
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Atomic layer doping of SiGe : fundamentals and device applications
    TILLACK, B ; HEINEMANN, B ; et al.
    In: Proceedings of the International Joint Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (IJC-Si), 12-17 September, 1999, Miyagi, Japan, Jg. 369 (2000), Heft 1-2, S. 189-194
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Si/SiGe n-type inverted modulation doping using ion implantation
    AHMED, A ; DUNFORD, R. B ; et al.
    In: Proceedings of the International Joint Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (IJC-Si), 12-17 September, 1999, Miyagi, Japan, Jg. 369 (2000), Heft 1-2, S. 324-327
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Optical and structural characterization of Si/SiGe heterostructures grown by RTCVD
    SIDIKI, T ; CHRISTIANSEN, S. H ; et al.
    In: Proceedings of the International Joint Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (IJC-Si), 12-17 September, 1999, Miyagi, Japan, Jg. 369 (2000), Heft 1-2, S. 431-435
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of SiGeC thin films by MeV ion scattering and X-ray diffraction
    NAGAKI, M ; NARUSAWA, T ; et al.
    In: Proceedings of the International Joint Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (IJC-Si), 12-17 September, 1999, Miyagi, Japan, Jg. 369 (2000), Heft 1-2, S. 143-147
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Alternatives to thick MBE-grown relaxed SiGe buffers
    HACKBARTH, T ; HERZOG, H.-J ; et al.
    In: Proceedings of the International Joint Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (IJC-Si), 12-17 September, 1999, Miyagi, Japan, Jg. 369 (2000), Heft 1-2, S. 148-151
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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