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    Luminescence and ultrafast phenomena in InGaN multiple quantum wells
    VISWANATH, Annamraju Kasi ; LEE, J. I ; et al.
    In: Proceedings of the Third International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2005) Symposium J: III-V Semiconductors for Microelectronic and Optoelectronic Applications, Singapore, July 3-8, Jg. 515 (2007), Heft 10, S. 4401-4404
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Influence of GaNAs strain compensation layers upon annealing of Gain(N)As/GaAs quantum wells
    LIU, H. F ; XIANG, N
    In: Proceedings of the Third International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2005) Symposium J: III-V Semiconductors for Microelectronic and Optoelectronic Applications, Singapore, July 3-8, Jg. 515 (2007), Heft 10, S. 4462-4466
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    The self-assemble GaN: Mg inverted hexagonal pyramids formatted by photoelectrochemical wet-etching process
    LIN, Chia-Feng ; YANG, Zhong-Jie ; et al.
    In: Proceedings of the Third International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2005) Symposium J: III-V Semiconductors for Microelectronic and Optoelectronic Applications, Singapore, July 3-8, Jg. 515 (2007), Heft 10, S. 4492-4495
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Studies of electron trapping in GaN doped with carbon
    LOPATIUK, Olena ; CHERNYAK, Leonid ; et al.
    In: Proceedings of the Third International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2005) Symposium J: III-V Semiconductors for Microelectronic and Optoelectronic Applications, Singapore, July 3-8, Jg. 515 (2007), Heft 10, S. 4365-4368
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Interdiffusion effect on GaAsSbN/GaAs quantum well structure studied by 10-band k•p model
    DANG, Y. X ; FAN, W. J ; et al.
    In: Proceedings of the Third International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2005) Symposium J: III-V Semiconductors for Microelectronic and Optoelectronic Applications, Singapore, July 3-8, Jg. 515 (2007), Heft 10, S. 4435-4440
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    (In)GaSb/AlGaSb quantum wells grown on Si substrates
    AKAHANE, Kouichi ; YAMAMOTO, Naokatsu ; et al.
    In: Proceedings of the Third International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2005) Symposium J: III-V Semiconductors for Microelectronic and Optoelectronic Applications, Singapore, July 3-8, Jg. 515 (2007), Heft 10, S. 4467-4470
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Investigation of deep level traps in dilute GaAsN layers grown by liquid phase epitaxy
    DHAR, S ; HALDER, N ; et al.
    In: Proceedings of the Third International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2005) Symposium J: III-V Semiconductors for Microelectronic and Optoelectronic Applications, Singapore, July 3-8, Jg. 515 (2007), Heft 10, S. 4427-4429
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Influences of silicon doping in quantum dot layers on optical characteristics of InAs/GaAs quantum dot infrared photodetector
    HUANG, Chun-Yuan ; OU, Tzu-Min ; et al.
    In: Proceedings of the Third International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2005) Symposium J: III-V Semiconductors for Microelectronic and Optoelectronic Applications, Singapore, July 3-8, Jg. 515 (2007), Heft 10, S. 4459-4461
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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