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    Atomic Vapor Deposition of complex high-k thin films for sub-90 nm CMOS devices : Advanced Short-Time Thermal Processing for Si-based CMOS Devices
    Lindner, J. ; Miedl, S. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 14 (2003), S. 459-464
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Poly-Si gate CMOS with hafnium silicate gate dielectric : Advanced Short-Time Thermal Processing for Si-based CMOS Devices
    Hobbs, C. ; Grant, J. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 14 (2003), S. 361-366
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Evaluation of CMOS gate metal materials using in situ characterization techniques : Advanced Short-Time Thermal Processing for Si-based CMOS Devices
    Cabral, C. ; Lavoie, C. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 14 (2003), S. 375-384
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Rapid thermal process Atomic Layer Deposition of high dielectric constant ultrathin ZrO~2 for sub-65 nm silicon CMOS technology : Advanced Short-Time Thermal Processing for Si-based CMOS Devices
    Fakhruddin, M. ; Singh, R. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 14 (2003), S. 281-286
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Design of experiment on the Co salicide process: impact of thickness and anneals on main CMOS Parameters : Advanced Short-Time Thermal Processing for Si-based CMOS Devices
    Wacquant, F. ; Regnier, C. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 14 (2003), S. 191-196
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Ultrathin plasma nitrided oxide gate dielectrics for sub-100 nm generation CMOS technology : Advanced Short-Time Thermal Processing for Si-based CMOS Devices
    Jeon, J. ; Yeh, P. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 14 (2003), S. 287-292
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Application of high-k dielectrics in CMOS technology and emerging new technology : Advanced Short-Time Thermal Processing for Si-based CMOS Devices
    Liu, R. ; Wu, T. B.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 14 (2003), S. 207-216
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Ni-based silicides: material issues for advanced CMOS applications : Advanced Short-Time Thermal Processing for Si-based CMOS Devices
    Kittl, J. A. ; Lauwers, A. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 14 (2003), S. 177-182
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The role of fluorine with Ge pre-amorphization in forming pMOS junctions for the 65-nm CMOS technology node : Advanced Short-Time Thermal Processing for Si-based CMOS Devices
    Pawlak, B. J. ; Lindsay, R. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 14 (2003), S. 99-104
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    CMOS Optoelectronics : Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices
    Liu, C. W. ; Hsu, B. C.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 1 (2004), S. 383-395
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Fully Silicided Metal Gates for High Performance CMOS Technology - : Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices
    Maszara, W. P.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 1 (2004), S. 341-353
    Konferenz
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    Factors Influencing the Threshold Voltages of Metal Oxide CMOS Devices : Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices
    Hobbs, C. ; Fonseca, L. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 1 (2004), S. 313-320
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Integration of Low and High Temperature Junction Anneals for 45 nm CMOS : Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices
    Lindsay, R. ; Pawlak, B. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 1 (2004), S. 145-156
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Enhancement of Manufacturability in Polycrystalline Silicon Process by Using Disilane Precursor at 65nm CMOS Technology : Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices
    Chen, Y. ; Bu, H. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 1 (2004), S. 244-252
    Konferenz
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    Nickel SALICIDE Technology for Sub-100 nm CMOS Devices : Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices
    Lu, J. P. ; Miles, D. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 1 (2004), S. 159-173
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Optimized Nickel Silicide Formation Process for High Performance Sub-65nm CMOS Nodes : Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices
    Froment, B. ; Carron, V.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 1 (2004), S. 191-202
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Sub-30 nm Abrupt Junction Formation in Strained Si/Si~1~-~xGe~x CMOS Device : Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices
    Lee, K. L. ; Cardone, F. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 1 (2004), S. 71-81
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Defect Behavior and Control in Advanced CMOS Process Technologies : Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices
    Claeys, C. ; Simoen, E.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 1 (2004), S. 50-65
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Extending Planar Single-Gate CMOS & Accelerating the Realization of Double-Gate/Multi-Gate CMOS Devices : ULSI process integration
    Borland, J. O. ; Iwai, H. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 330-348
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Deuterium passivation in CMOS technology : Crystalline defects and contamination: their impact and control in device manufacturing
    Lyding, J. W. ; Lee, J. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2005, Heft 10, S. 135-143
    Konferenz
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