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    Extending Planar Single-Gate CMOS & Accelerating the Realization of Double-Gate/Multi-Gate CMOS Devices : ULSI process integration
    Borland, J. O. ; Iwai, H. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 330-348
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Polysilicon CMOS TFTs Inverters with a Gate Silicon Oxide Deposited using PECVD with Hexamethyldisiloxane (HMDSO) : Thin film transistor technologies
    Gautier, G. ; Coulon, N. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 2002-23 (2003), S. 55-62
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Development of Poly-Si CMOS TFT Using Counter Doping Process : Thin film transistor technologies
    Yang, J. Y. ; Yu, S. H. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 2002-23 (2003), S. 47-54
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    A Novel Self-Aligned Ultra-Thin Elevated Channel Low Temperature CMOS Poly-Si TFT : Thin film transistor technologies
    Xiong, Z. ; Liu, H. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 2002-23 (2003), S. 42-46
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Compatibility of Polysilicon with HfO~2-based Gate Dielectrics for CMOS Applications : ULSI process integration
    Kaushik, V. ; De Gendt, S. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 391-396
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Extremely Scaled Ultra-Thin Body and FinFET CMOS Devices : ULSI process integration
    Balasubramanion, S. ; Chang, L. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 534-545
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    60-nm Gate Length SOI CMOS Technology Optimized for 'System-on-a-SOI-Chip' Solution : ULSI process integration
    Imai, K. ; Maruyama, S. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 493-502
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Si Channel Surface Dependence of Electrical Characteristics in Ultra-Thin Gate Oxide CMOS : ULSI process integration
    Momose, H. S.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 361-374
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Emerging Device Solutions for the Post-Classical CMOS Era : ULSI process integration
    De Meyer, K. ; Collaert, N. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 291-305
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Radiation response of SOI CMOS transistors/4M SRAMs fabricated in UNIBOND substrates : Silicon-on-insulator technology and devices
    Liu, S. T. ; Heikkila, W. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 449-454
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Steady-state characterization of partially depleted SOI CMOS gates : Silicon-on-insulator technology and devices
    Bracale, A. ; Dupont-Nivet, E. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 499-504
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Radiation damage in deep submicron partially depleted SOI CMOS : Silicon-on-insulator technology and devices
    Simoen, E. ; Rafi, J. M. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 437-442
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Strained Si/SiGe channels: a new performance advantage for PD/SOI CMOS : Silicon-on-insulator technology and devices
    Zhang, W. ; Fossum, J. G.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 349-354
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A novel CMOS memory cell architecture for ultra-low power applications operating up to 280^oC : Silicon-on-insulator technology and devices
    Levacq, D. ; Dessard, V. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 249-254
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Extremely scaled FinFETs and ultra-thin body SOI CMOS Devices : Silicon-on-insulator technology and devices
    Balasubramanian, S. ; Chang, L. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 197-208
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    60-nm gate length SOI CMOS technology optimised for 'System-on-a-SOI-chip' solution : Silicon-on-insulator technology and devices
    Imai, K. ; Maruyama, S. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 149-158
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Base Contact Issues of Si/SiGe-Heterojunction Bipolar Transistors with Emphasis on Source/Drain Contacts of CMOS Devices : Copper interconnects, new contact metallurgies/structures, and low-k interlevel dielectrics
    Hohaus, J. ; Schreiber, H. U.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, Jg. 2002-22 (2003), S. 103-108
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    New Reliability Issues of CMOS Transistors with 1.3nm Thick Gate Oxide : Silicon nitride and silicon dioxide thin insulating films
    Li, M. F. ; Cho, B. J. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2003, S. 228-240
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Challenges for Integration of Source-Drain Contacts into Emerging Future Generation CMOS Devices : Rapid thermal and other short-time processing technologies
    Roy, R. A.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2002, S. 429-440
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Laser Annealing for Ultra-Shallow Junction Formation in Advanced CMOS : Rapid thermal and other short-time processing technologies
    Surdeanu, R. ; Ponomarev, Y. V. ; et al.
    In: PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV, 2002, S. 413-426
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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