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    Advanced CMOS transistors in the nanotechnology era for high-performance, low-power logic applications
    Chau, R. ; Doczy, M. ; et al.
    In: Proceedings. 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology,, Jg. 1 (2004), S. 26-30
    Konferenz
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    Three-dimensional stacked-Fin-CMOS integrated circuit using double layer SOI material
    Chan, P.C.H. ; Wu, Xusheng ; et al.
    In: Proceedings. 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology,, Jg. 1 (2004), S. 81-85
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High performance 27 nm gate length CMOS device with EOT 1.4 nm gate oxynitride and strained technology
    Xu, Iuxia ; Ian, He ; et al.
    In: Proceedings. 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology,, Jg. 1 (2004), S. 47-52
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Advanced compact modeling of logic devices toward CMOS scaling limits
    An, J.X. ; Chen, Qiang ; et al.
    In: Proceedings. 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology,, Jg. 2 (2004), S. 1171-1174
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Fabrication of edge-suspended microwave passive components using CMOS-compatible micromachining
    Zhang, Jinwen ; Wai Cheong Hon ; et al.
    In: Proceedings. 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology,, Jg. 3 (2004), S. 1695-1698
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Fully-depleted SOI CMOS devices with W/TiN gate
    Lian, Jun ; Hai, Chaohe
    In: Proceedings. 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology,, Jg. 1 (2004), S. 273-276
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Interface passivation by deuterium for nanoscale CMOS devices
    Kundu, T. ; Misra, D.
    In: Proceedings. 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology,, Jg. 2 (2004), S. 792-797
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A new 0.25-/spl mu/m CMOS doubly balanced sub-harmonic mixer for 5-GHz ISM band direct conversion receiver
    Upadhyaya, P. ; Rajashekharaiah, M. ; et al.
    In: Proceedings. 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology,, Jg. 2 (2004), S. 1295-1298
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    An analog fuzzy processor using neuron-MOS technology
    Yu Ning mei ; Jingjin, Chen
    In: Proceedings. 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology,, Jg. 2 (2004), S. 1587-1590
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Advances in Si-based nanotechnology and quantum devices
    Chen, Peiyi ; Deng, Ning ; et al.
    In: Proceedings. 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology,, Jg. 2 (2004), S. 869-874
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    VLSI implementation of full pixel motion estimation processor for MPEG-4 AS profile
    He, Wei-Feng ; Mao, Zhi-Gang ; et al.
    In: Proceedings. 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology,, Jg. 3 (2004), S. 1633-1636
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Taking silicon to the limit: challenges and opportunities
    King, Tsu-Jae
    In: Proceedings. 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology,, Jg. 1 (2004), S. 1-5
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A novel technique of silicon-on-nothing MOSFETs fabrication by hydrogen and helium co-implantation
    Bu, Weihai ; Huang, Ru ; et al.
    In: Proceedings. 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology,, Jg. 1 (2004), S. 269-272
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Wide tuning-range MOS varactors based on SOI
    Yan, Tao ; Zhang, Guoyan ; et al.
    In: Proceedings. 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology,, Jg. 1 (2004), S. 206-208
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Novel Schottky barrier MOSFET with dual-layer silicide source/drain structure
    Li, Dingyu ; Sun, Lei ; et al.
    In: Proceedings. 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology,, Jg. 1 (2004), S. 69-72
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Silicon single-electron devices and their applications
    Takahashi, Y. ; Ono, Y. ; et al.
    In: Proceedings. 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology,, Jg. 1 (2004), S. 624-629
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Study on near-flatband-voltage SILC in ultra-thin plasma nitrided gate oxides
    He, Yandong ; Zu, Mingzhen ; et al.
    In: Proceedings. 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology,, Jg. 2 (2004), S. 804-807
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A physics based analytical model of undoped body MOSFETs
    He, Jin ; Xi, J. ; et al.
    In: Proceedings. 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology,, Jg. 2 (2004), S. 1192-1195
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    The status, limits and countermeasures in the development of the silicon microelectronics industry
    Liu, Zhongli
    In: Proceedings. 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology,, Jg. 1 (2004), S. 255-257
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A discussion on the extension of Moore's Law
    Li, Tiefu ; Li, Zhijian
    In: Proceedings. 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology,, Jg. 1 (2004), S. 251-254
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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