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    Development of a Prototype CMOS 0.18 μm Low-Noise Amplifier Chip for the Receiving Path of the NB-IoT system.
    Kotlyarov, E. Yu. ; Putrya, M. G. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 52 (2023-12-15), Heft 7, S. 669-676
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Design of Integrated Voltage Multipliers Using Standard CMOS Technologies.
    Sinyukin, A. S. ; Konoplev, B. G. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 52 (2023-12-01), Heft 6, S. 527-534
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Circuit Implementation of Modular Adders in Custom CMOS VLSI and FPGA.
    Bibilo, P. N. ; Kirienko, N. A.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 52 (2023-12-15), Heft 7, S. 648-658
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Design and Evaluation of Low Power CMOS Based Schmitt Trigger Circuits.
    Maniteja, Nagella ; Sahithi, Kota ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 52 (2023-12-01), Heft 6, S. 556-564
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Modeling the Characteristics of SOI CMOS Nanotransistors with an Asymmetric Surrounding Gate
    Masal'skii, N. V.
    In: Russian microelectronics, Jg. 49 (2020), Heft 5, S. 324-331
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Investigating the Electrothermal Characteristics of Partially Depleted Submicron SOI CMOS Transistors in an Extended Temperature Range
    Rumyantsev, S. V. ; Novoselov, A. S. ; et al.
    In: Russian microelectronics, Jg. 49 (2020), Heft 1, S. 30-36
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Modeling the CMOS Characteristics of a Completely Depleted Surrounding-Gate Nanotransistor and an Unevenly Doped Working Region
    Masal'skii, N. V.
    In: Russian microelectronics, Jg. 48 (2020), Heft 6, S. 394-401
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Modeling the Charge Collection from a Track of an Ionizing Particle in Upset Hardened CMOS Trigger Elements
    Stenin, V. Ya. ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian microelectronics, Jg. 48 (2020), Heft 6, S. 381-393
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    A High Voltage CMOS Voltage Level Converter for a Low Voltage Process.
    Shubin, V. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 51 (2022-06-01), Heft 3, S. 155-163
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Methods of Improving the Accuracy of Simulating Delays and Peak Currents of Combinational CMOS-Circuits at the Logical Design Level
    Ivanova, G. A. ; Ryzhova, D. I.
    In: Russian microelectronics, Jg. 48 (2019), Heft 7, S. 477-484
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Inter-Device Radiation-Induced Leakages in the Bulk 180-nm CMOS Technology
    Boruzdina, A. B. ; Gerasimov, Yu. M. ; et al.
    In: Russian microelectronics, Jg. 48 (2019), Heft 4, S. 268-272
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Mechanisms of Initiation of Unstable Latchup Effects in CMOS ICs
    Chumakov, A. I. ; Bobrovsky, D. V. ; et al.
    In: Russian microelectronics, Jg. 48 (2019), Heft 4, S. 250-254
    Online serialPeriodical
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Extracting a Logic Gate Network from a Transistor-Level CMOS Circuit
    Cheremisinov, D. I. ; Cheremisinova, L. D.
    In: Russian microelectronics, Jg. 48 (2019), Heft 3, S. 187-196
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Simulation of the Characteristics of Double-Gate Asymmetrically Doped SOI CMOS Nanotransistors
    Masalsky, N. V.
    In: Russian microelectronics, Jg. 47 (2018), Heft 4, S. 259-267
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A System for Logical Design of Custom CMOS VLSI Functional Blocks with Reduced Power Consumption
    Bibilo, P. N. ; Avdeev, N. A. ; et al.
    In: Russian microelectronics, Jg. 47 (2018), Heft 1, S. 65-81
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Investigating the Dynamic Characteristics of High-Temperature SOI CMOS VLSIC Elements
    Benediktov, A. S. ; Shelepin, N. A. ; et al.
    In: Russian microelectronics, Jg. 47 (2018), Heft 3, S. 197-200
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Modeling Silicon Cylindrical CMOS Nanotransistors with a Fully Enclosed Variable-Radius Gate.
    Masalsky, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 51 (2022-08-01), Heft 4, S. 220-225
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Charge Collection by CMOS Transistors from Tracks of Single Particles Passing through Layer of Shallow Trench Isolation.
    Stenin, V. Ya. ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 51 (2022-06-01), Heft 3, S. 181-191
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Masking Noise Pulses When Collecting a Charge from the Tracks of Single Ionizing Particles in a Majority Element Based on CMOS NAND Logic.
    Stenin, V. Ya. ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 51 (2022-02-01), Heft 1, S. 36-42
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    CMOS Majority Element Based on NAND Logic with Reduced Sensitivity to Single Ionizing Particles.
    Stenin, V. Ya. ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-11-01), Heft 6, S. 394-403
    Online academicJournal
    Zugriff:
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