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    Modeling the Characteristics of SOI CMOS Nanotransistors with an Asymmetric Surrounding Gate
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-09-01), S. 324-331
    Online unknown
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    Modeling of Single Ionizing Particle Impacts on Logical Elements of a CMOS Triple Majority Gate
    Katunin, Yu.V. ; V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-05-01), S. 214-223
    Online unknown
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    Methods of Improving the Accuracy of Simulating Delays and Peak Currents of Combinational CMOS-Circuits at the Logical Design Level
    Ivanova, G. A. ; Ryzhova, D. I.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-12-01), S. 477-484
    Online unknown
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    Modeling the Charge Collection from a Track of an Ionizing Particle in Upset Hardened CMOS Trigger Elements
    V. Ya. Stenin ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-11-01), S. 381-393
    Online unknown
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    Investigating the Electrothermal Characteristics of Partially Depleted Submicron SOI CMOS Transistors in an Extended Temperature Range
    Masal’skii, N. V. ; Novoselov, A. S. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020), S. 30-36
    Online unknown
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    Modeling the CMOS Characteristics of a Completely Depleted Surrounding-Gate Nanotransistor and an Unevenly Doped Working Region
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-11-01), S. 394-401
    Online unknown
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    Simulation of the Characteristics of Double-Gate Asymmetrically Doped SOI CMOS Nanotransistors
    Masalsky, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018-07-01), S. 259-267
    Online unknown
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    A System for Logical Design of Custom CMOS VLSI Functional Blocks with Reduced Power Consumption
    Kardash, S. N. ; Yu. Yu. Lankevich ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018), S. 65-81
    Online unknown
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    Investigation of the features of integrating nonvolatile FRAM elements with CMOS technology
    Voronov, D. D. ; G. Ya. Krasnikov ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 46 (2017-09-01), S. 353-358
    Online unknown
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Comparative analysis of CMOS circuits of a thermometer-to-binary encoder for integrated flash analog-to-digital converters
    Budanov, Dmitry O. ; Morozov, Dmitry ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 46 (2017), S. 45-54
    Online unknown
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    Simulation of the potential distribution in an inhomogeneously doped workspace of a double-gate SOI CMOS nanotransistor
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 46 (2017-03-01), S. 139-148
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Biosensor Based on Ion-Sensitive Nanowire Field-Effect Transistor Using the Minimum Contact to the Floating Gate
    Rybachek, E. N. ; Gubanova, O. V. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-12-01), S. 538-542
    Online unknown
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    Simulation of Transients in a Majority Gate upon Switching and Collecting Charge from the Track of a Single Particle
    Katunin, Yu. V. ; V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-09-01), S. 332-344
    Online unknown
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    Logical C-Element on STG DICE Trigger for Asynchronous Digital Devices Resistant to Single Nuclear Particles
    Katunin, Yu. V. ; V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-05-01), S. 143-156
    Online unknown
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    Simulation the Effects of Single Nuclear Particles on STG RS Triggers with Transistors Spacing into Two Groups
    Katunin, Yu. V. ; V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018-11-01), S. 407-414
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Upset-resilient RAM on STG DICE memory elements with the spaced transistors into two groups
    V. Ya. Stenin ; Katunin, Yu. V. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 45 (2016-11-01), S. 419-432
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    The Element of Matching on an STG DICE Cell for an Upset Tolerant Content Addressable Memory
    Katunin, Yu. V. ; V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018-03-01), S. 142-156
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Simulation of Single Event Effects in STG DICE Memory Cells
    Katunin, Yu. V. ; V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018), S. 20-33
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Small-signal optimization approach to design of microwave signal switch ICs on MOS transistors
    Nazarova, G. N. ; Usachev, N. A. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 46 (2017-09-01), S. 365-369
    Online unknown
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    Integration of functional elements of resistive nonvolative memory with 1T-1R topology
    Kiseleva, I. V. ; Zenkevich, Andrei ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 45 (2016-11-01), S. 383-395
    Online unknown
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