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    Comparative Analysis of Modeling CMOS Majority Gates When Collecting a Charge from Tracks of Single Ionizing Particles
    V. Ya. Stenin ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 50 (2021-07-01), S. 253-263
    Online unknown
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    Modeling the Characteristics of SOI CMOS Nanotransistors with an Asymmetric Surrounding Gate
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-09-01), S. 324-331
    Online unknown
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    Modeling of Single Ionizing Particle Impacts on Logical Elements of a CMOS Triple Majority Gate
    Katunin, Yu.V. ; V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-05-01), S. 214-223
    Online unknown
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    Modeling the Charge Collection from a Track of an Ionizing Particle in Upset Hardened CMOS Trigger Elements
    V. Ya. Stenin ; Katunin, Yu. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-11-01), S. 381-393
    Online unknown
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    Simulation of the characteristics of the DICE 28-nm CMOS cells in unsteady states caused by the effect of single nuclear particles
    V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015-09-01), S. 324-334
    Online unknown
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    Modeling the characteristics of trigger elements of two-phase CMOS logic, taking into account the charge sharing effect under exposure to single nuclear particles
    V. Ya. Stenin ; Stepanov, Pavel ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 43 (2014-03-01), S. 112-124
    Online unknown
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    Single-event-upset susceptibility simulation of sub-1-μm CMOS dual-path inverters
    V. Ya. Stenin ; Ol’chev, S. I.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 41 (2012-03-01), S. 132-142
    Online unknown
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    Memory-cell layout as a factor in the single-event-upset susceptibility of submicron dice CMOS SRAM
    V. Ya. Stenin ; Cherkasov, I. G.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 40 (2011-05-01), S. 170-175
    Online unknown
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    Low-voltage arithmetic units based on fully depleted SOI CMOS nanotransistors
    Masal’skii, N. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 39 (2010), S. 54-62
    Online unknown
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    Low-power CMOS switched-capacitor lowpass filter using current conveyors
    Tutyshkin, A.A. ; Morozov, Dmitry ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 35 (2006-12-01), S. 405-413
    Online unknown
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    Simulation of Transients in a Majority Gate upon Switching and Collecting Charge from the Track of a Single Particle
    Katunin, Yu. V. ; V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 49 (2020-09-01), S. 332-344
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Logical C-Element on STG DICE Trigger for Asynchronous Digital Devices Resistant to Single Nuclear Particles
    Katunin, Yu. V. ; V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 48 (2019-05-01), S. 143-156
    Online unknown
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    Simulation the Effects of Single Nuclear Particles on STG RS Triggers with Transistors Spacing into Two Groups
    Katunin, Yu. V. ; V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018-11-01), S. 407-414
    Online unknown
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    Upset-resilient RAM on STG DICE memory elements with the spaced transistors into two groups
    V. Ya. Stenin ; Katunin, Yu. V. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 45 (2016-11-01), S. 419-432
    Online unknown
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    Simulation of Single Event Effects in STG DICE Memory Cells
    Katunin, Yu. V. ; V. Ya. Stenin
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018), S. 20-33
    Online unknown
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