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    Laser Method of Evaluating Parameters of LSI Sensitivity to the Impact of Single Ions
    Chumakov, A. I.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018-05-01), Heft 3, S. 175-180
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Diffusion model of the ionization response of LSI elements under exposure to heavy charged particles
    Sogoyan, A. V. ; Chumakov, A. I.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 46 (2017-07-01), Heft 4, S. 282-289
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Deterministic and nondeterministic failure models of LSI circuits exposed to radiation
    Barbashov, V. M. ; Trushkin, N. S. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015-09-01), Heft 5, S. 312-315
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Evaluation of sensitivity parameters for single event latchup effect in CMOS LSI ICs by pulsed laser backside irradiation tests
    Pechenkin, A. A. ; Savchenkov, D. V. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015), Heft 1, S. 33-39
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Application of probabilistic and fuzzy models to the simulation of radiation failures of LSI circuits
    Barbashov, V. M. ; Trushkin, N. S. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 43 (2014-03-01), Heft 2, S. 148-161
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Single-event-effect sensetivity characterization of LSI circuits with a laser-based and a pulsed gamma-ray testing facilities used in combination
    Chumakov, A. I. ; Vasil’ev, A. L. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 41 (2012-07-01), Heft 4, S. 221-225
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Investigation of the possibility to develop radiation-hardness LSIs for navigational purposes according to the 0.35-μm domestic CMOS SOI technology
    Elesin, V. V. ; Nazarova, G. N. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 41 (2012-07-01), Heft 4, S. 266-277
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Lifetime prediction for submicrometer LSI circuits and programmable logic: An overview
    Strogonov, A. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 34 (2005-03-01), Heft 2, S. 111-129
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Radiation effects in a BiCMOS LSI interface transceiver
    Belous, A. I. ; Bogatyrev, Yu. V. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 37 (2008-03-01), Heft 2, S. 121-130
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Inclusion-exclusion principle in the design of a BIST unit for LSI and VLSI circuits
    Kobyak, I. P.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 35 (2006-03-01), Heft 2, S. 116-126
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Method for online nondestructive hardness assurance for CMOS LSI circuits realized in SOS technology
    Davydov, G. G. ; Sogoyan, A. V. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 37 (2008), Heft 1, S. 62-71
    Online academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Modeling of High-Dose-Rate Pulsed Radiation Effects in the Parasitic MOS Structures of CMOS LSI Circuits
    Nikiforov, A. Y. ; Sogoyan, A. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 33 (2004-03-01), Heft 2, S. 80-91
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Delay-Conscious Switch-Level Modeling of MOS LSI Circuits
    Zolotorevich, L. A.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 32 (2003-05-01), Heft 3, S. 182-188
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Laser Method of Evaluating Parameters of LSI Sensitivity to the Impact of Single Ions
    Chumakov, Alexander I.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 47 (2018-05-01), S. 175-180
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Diffusion model of the ionization response of LSI elements under exposure to heavy charged particles
    Sogoyan, A.V. ; Chumakov, Alexander I.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 46 (2017-07-01), S. 282-289
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Deterministic and nondeterministic failure models of LSI circuits exposed to radiation
    Barbashov, V. M. ; Trushkin, N. S. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015-09-01), S. 312-315
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Evaluation of sensitivity parameters for single event latchup effect in CMOS LSI ICs by pulsed laser backside irradiation tests
    Mavritskii, O. B. ; Chumakov, Alexander I. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 44 (2015), S. 33-39
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Investigation of the possibility to develop radiation-hardness LSIs for navigational purposes according to the 0.35-μm domestic CMOS SOI technology
    Nazarova, G. N. ; Titarenko, A. A. ; et al.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 41 (2012-07-01), S. 266-277
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Lifetime prediction for submicrometer LSI circuits and programmable logic: An overview
    Strogonov, A. V.
    In: Russian Microelectronics, Jg. 34 (2005-03-01), S. 111-129
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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