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    Improvements on voltage-resistant performance of bipolar static induction transistor (BSIT) with buried gate structure
    Wang, Yong ; Shun ; et al.
    In: SCIENCE CHINA Information Sciences, Jg. 55 (2012-04-01), Heft 4, S. 962-970
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Improvements on voltage-resistant performance of bipolar static induction transistor (BSIT) with buried gate structure
    Zhang, CaiZhen ; Feng, JingJing ; et al.
    In: Science China Information Sciences, Jg. 55 (2012-03-14), S. 962-970
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Electrical performance of static induction transistor with transverse structure
    Liu, Chunjuan ; Wang, Yongshun ; et al.
    In: Science China Information Sciences, Jg. 60 (2017-02-01), Heft 2, S. 1-8
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Electrical performance of static induction transistor with transverse structure
    Chunjuan LIU Yongshun WANG Zaixing WANG Chao, CHEN
    In: 中国科学：信息科学（英文版） / SCIENCE CHINA Information Sciences, Jg. 60 (2017), Heft 2, S. 184
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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