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    Mobility improvement in CVD graphene by using local metal side-gate.
    Acharya, Sanchar ; Babu, Anakha V ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 35 (2020-04-01), Heft 4, S. 1-9
    Online academicJournal
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    Nanocrystalline silicon deposition at high rate and low temperature from pure silane in a modified ICP-CVD system.
    Tian, Lin ; Fathi, Ehsanollah ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 28 (2013-10-01), Heft 10, S. 1-5
    Online academicJournal
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    AlGaN/GaN MSM photodetectors with photo-CVD annealed Ni/Au semi-transparent contacts.
    Chang, P. C. ; Chen, C. H. ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 19 (2004-12-01), Heft 12, S. 1354-1357
    Online academicJournal
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    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    High transconductance AlGaN/GaN MOSHFETs with photo-CVD gate oxide.
    Wang, Chun-Kai ; Lin, Tien-Kun ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 18 (2003-12-01), Heft 12, S. 1033-1036
    Online academicJournal
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    Epitaxial growth of highly strained Si on relaxed Ge/Si(1?0?0) using ECR plasma CVD without substrate heating.
    Sugawara, Katsutoshi ; Sakuraba, Masao ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 22 (2007), Heft 1, S. S42- (4S.)
    Online academicJournal
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    A direct comparison of CVD-grown and exfoliated MoS2 using optical spectroscopy.
    Plechinger, G ; Mann, J ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 29 (2014-06-01), Heft 6, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Heterojunction photodiodes fabricated from Ge/Si (1?0?0) layers grown by low-energy plasma-enhanced CVD.
    Isella, G ; Osmond, J ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 22 (2007), Heft 1, S. S26- (3S.)
    Online academicJournal
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    Mask-free patterning and selective CVD-growth of 2D-TMDCs semiconductors.
    Alameri, Dheyaa ; Joseph R Nasr ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 34 (2019-08-01), Heft 8, S. 1-1
    Online academicJournal
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    CVD diamond devices for charged particle detection.
    Minglong, Zhang ; Yiben, Xia ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 20 (2005-06-01), Heft 6, S. 555-558
    Online academicJournal
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    Study of thermally grown and photo-CVD deposited silicon oxide-silicon nitride stack layers.
    Sahu, B. S. ; Kapoor, A. ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 18 (2003-07-01), Heft 7, S. 670-675
    Online academicJournal
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    Acoustic wave properties of CVD diamond.
    Flannery, Colm M. ; Whitfield, Michael D.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 18 (2003-03-01), Heft 3, S. S86- (10S.)
    Online academicJournal
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    Electronic properties of CVD diamond.
    Nebel, C. E.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 18 (2003-03-01), Heft 3, S. S1- (11S.)
    Online academicJournal
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    Radiation detection devices made from CVD diamond.
    Bergonzo, P.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 18 (2003-03-01), Heft 3, S. S105- (8S.)
    Online academicJournal
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    Simulating the profile of thin metallic films produced by low-pressure CVD.
    Hayakawa, K. ; Kimura, M. ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 13 (1998-12-01), Heft 12, S. 1355-1363
    Online academicJournal
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    A new hydrodynamic principle for CVD reactors: the boundary condition control.
    Kuhn, W. S.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 11 (1996-05-01), S. 783-796
    Online academicJournal
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    Epitaxial growth of P atomic layer doped Si film by alternate surface reactions of PH3 and Si2H6 on strained Si1-xGex/Si(1 0 0) in ultraclean low-pressure CVD.
    Chiba, Yohei ; Sakuraba, Masao ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 22 (2007), Heft 1, S. S118- (5S.)
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Epitaxial growth of highly strained Si on relaxed Ge/Si(1 0 0) using ECR plasma CVD without substrate heating.
    Sugawara, Katsutoshi ; Sakuraba, Masao ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 22 (2007), Heft 1, S. S42- (4S.)
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    As doping of Si–Ge–Sn epitaxial semiconductor materials on a commercial CVD reactor.
    Bhargava, Nupur ; Margetis, Joe ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 32 (2017-09-01), Heft 9, S. 1-1
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    Factors affecting the optical performance of CVD diamond infrared optics.
    Mollart, T. P. ; Lewis, K. L. ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 18 (2003-03-01), Heft 3, S. S117- (8S.)
    Online academicJournal
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    Spin-dependent photoconductivity in CVD- and MBE-grown silicon-on-sapphire.
    O'Raifeartaigh, C. ; Bradley, L. ; et al.
    In: Semiconductor Science & Technology, Jg. 10 (1995-12-01), S. 1595-1603
    Online academicJournal
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