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    A new surface-flattening method using single-point diamond turning (SPDT) and its effects on LPE HgCdTe photodiodes
    Yang, SC ; Lee, YS ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 21 (2005-11-28), S. 40-43
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    The effect of high-frequency sonication on charge carrier transport in LPE and MBE HgCdTe layers
    Savkina, R. K. ; Smirnov, A. B. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 22 (2006-12-19), S. 97-102
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    Study of the formation mechanism of InGaAs pyramidal layers on GaAs(100) patterned substrates by LPE
    Iida, S. ; Kumagawa, Masashi ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 17 (2002-06-18), S. 729-734
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    Epitaxial lateral overgrowth of GaAs: effect of doping on LPE growth behaviour
    Pawlowska, M ; Z R Zytkiewicz ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 14 (1999), S. 465-469
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    Observation of magnetophonon resonance oscillations in open-gap Hg1-x-yCdxMnyTe grown by LPE
    Kwon, Hyuk-Jin ; Kuroda, Shinji ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 8 (1993), S. S66- (5S.)
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    Schottky barrier height modification on high-purity LPE GaAs following a sulphur-based etch
    Tansley, T.L. ; Keane, M ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 8 (1993-07-01), S. 1451-1458
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    Determination of the Np and pP heterojunction quality in AlxGa1-xAs LPE-grown double heterostructures from the capacitance measurements
    V Ya Phyliptchenko ; Puzin, I. B. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 7 (1992-04-01), S. 529-535
    Online unknown
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    Magnetophonon resonance recombination of hot carriers with the emission of two TA phonons in Hg1-x-yCdxMnyTe grown by LPE
    Kuroda, S ; H J Kwon ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 7 (1992-03-01), S. B42- (3S.)
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    Growth and characterisation of CdxHg1-xTe grown by LPE using a novel sliding boat
    J L Page ; Capper, P. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 2 (1987-11-01), S. 710-715
    Online unknown
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    Deep levels in InxGa1-xAsyP1-ygrown on (100) GaAs by LPE
    Tanaka, Shigeyasu ; Hiramatsu, K. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 4 (1989-09-01), S. 729-738
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    Photoluminescence studies of LPE AlxGa1-xSb
    Wada, Takao ; Usami, A ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 2 (1987-05-01), S. 318-320
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    Experimental study of the effect of local atomic ordering on the energy band gap of melt grown InGaAsN alloys
    Georgiev, S. ; Ekins-Daukes, Nicholas J. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 32 (2017-07-04), S. 085005-85005
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    Interface-induced optical and transport phenomena in type II broken-gap single heterojunctions
    Yakovlev, Yu. P. ; Mikhailova, Maya P. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 19 (2004-09-15), S. R109- (20S.)
    Online unknown
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    Structural properties of layers grown on CdTe substrates by liquid phase epitaxy
    Diéguez, Ernesto ; Alves, E. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 11 (1996-04-01), S. 542-547
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    A photoluminescence and photocapacitance study of GaAs:In and GaAs:Sb layers grown by liquid-phase epitaxy
    Mallik, Kanad ; Sinha, S ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 9 (1994-09-01), S. 1649-1653
    Online unknown
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