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    Narrow stripe selective growth of oxide-free InGaAlAs/InGaAlAs MQWs by ultra-low pressure MOVPE
    Yang, Hui ; Feng, Wei ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 21 (2006-05-16), S. 841-845
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    Design optimization of InGaAsP–InGaAlAs 1.55 µm strain-compensated MQW lasers for direct modulation applications
    Kjebon, Olle ; Silfvenius, C. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 19 (2004-02-19), S. 615-625
    Online unknown
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    Comparison of thermal characteristics of antimonide and phosphide MQW lasers
    Zhang, YG(张永刚）) ; Zhu, Congshan ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 20 (2005-04-15), S. 563-567
    Online unknown
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    An alloy semiconductor system with a tailorable band-tail and its application to high-performance laser operation: II. Experimental study on InGaN MQW laser for optimization of differential gain characteristics tuned by In compositional fluctuation
    Hisanaga, Y. ; Mizuta, Masashi ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 16 (2001-08-10), S. 770-775
    Online unknown
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    Electroabsorption modulators for high-bit-rate optical communications: a comparison of strained InGaAs/InAIAs and InGaAsP/InGaAsP MQW
    Mircea, A. ; Chelles, S. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 10 (1995-07-01), S. 887-901
    Online unknown
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    Spin and carrier relaxation in resonantly excited InGaAs MQWs
    Kuroda, Kazuo ; Sudzius, M. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 19 (2004-03-10), S. S339- (3S.)
    Online unknown
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    Transient photoconductivity in GaInAs/InP MQW
    Kapetanakis, L ; Vickers, Anthony J.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 10 (1995-06-01), S. 829-834
    Online unknown
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    Temperature dependence of emission wavelength in 1.3μm GaInAsP/InP GRIN SCH MQW laser diodes grown by MOCVD
    Okamoto, H. ; Murgatroyd, I. J. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 5 (1990-06-01), S. 498-501
    Online unknown
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    The temperature dependence of in-plane transient photoconductivity in GaInAs/InP MQWs
    S J Bass ; Ridley, Brian K. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 7 (1992-04-01), S. 498-504
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    Hybrid GaN LED with capillary-bonded II–VI MQW color-converting membrane for visible light communications
    Jones, Brynmor E. ; Herrnsdorf, Johannes ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 30 (2015-01-27), S. 035012-35012
    Online unknown
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    Rabi oscillations of intersubband transitions in GaAs/AlGaAs MQWs
    Reimann, Klaus ; Hey, Rudolf ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 19 (2004-03-08), S. S285- (2S.)
    Online unknown
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    Cavity length and temperature dependent characteristics of compressively strained InGaAsP MQW BH lasers with a two-step compositional SCH structure
    S W Park ; Y H Ko ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 23 (2008-08-11), S. 095011-95011
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Room-temperature optical absorption and confinement effect in Ga0.47In0.53As/Al0.48In0.52As MQW
    B K Ridley ; J S A Adelabu ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 4 (1989-08-01), S. 677-680
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    Photoconductivity of a degenerate electron-hole plasma in GaInAs/AlInAs MQW structures
    G J Davies ; M E Daniels ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 4 (1989-08-01), S. 639-644
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    Observation of surface phonon-polaritons on a MQW specimen by attenuated-total-reflection spectroscopy
    Tilley, D.R. ; Parker, T. J. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 4 (1989-05-01), S. 388-392
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Free and bound excitons in p-type GaAs MQW
    Goodridge, I ; B K Ridley ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 1 (1986-11-01), S. 338-342
    Online unknown
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    Optical properties of lattice-matched GaAsPBi multiple quantum wells grown on GaAs (001)
    Wongpinij, Thipusa ; Panyakeow, Somsak ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 36 (2021-03-04), S. 045014-45014
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Effect of low-temperature GaN cap layer thickness on the optoelectronic performance of InGaN green LEDs with V-shape pits
    Jiang, Fengyi ; Wang, Zhenxu ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 35 (2020-03-19), S. 045030-45030
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Properties of N-polar InGaN/GaN quantum wells grown with triethyl gallium and triethyl indium as precursors
    Lund, Cory ; Mishra, Umesh K. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 34 (2019-06-21), S. 075017-75017
    Online unknown
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    A short carrier lifetime semiconductor optical amplifier with n-type modulation-doped multiple quantum well structure
    Wang, Wei ; Bian, Jing ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 22 (2007-02-06), S. 283-286
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