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    Actively controlled anode auxillary gate Superjunction IGBT with extremely low E off
    Li, Luping ; Li, Zehong ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, 2023-01-16
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    Design of PAMBE-based selective-area growth compliant ultra-low leakage GaN mixed-conduction vertical diodes for high-power applications
    Sarker, Palash ; Frank Putnam Kelly ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, 2021-05-05
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    Low temperature atomic hydrogen annealing of InGaAs MOSFETs
    Olausson, Patrik ; Yadav, Rohit ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 38 (2023-03-15), S. 055001-55001
    Online unknown
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    Effects of gate roughness on low voltage InGaZnO thin-film transistors with ultra-thin anodized AlxOy dielectrics
    Lin, Xiaoyu ; Jin, Jidong ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 38 (2023-02-17), S. 035023-35023
    Online unknown
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    High mobility Ge 2DHG based MODFETs for low-temperature applications
    Weißhaupt, David ; Hannes S Funk ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 38 (2023-01-27), S. 035007-35007
    Online unknown
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    A 4 × 4 8T-SRAM array with single-ended read and differential write scheme for low voltage applications
    Amit Kumar Singh ; Duari, Chusen ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 36 (2021-05-07), S. 065013-65013
    Online unknown
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    Reducing the qualification time of low energy phosphorus ion implantation process using spectroscopic ellipsometry for dynamic random access memory production line
    Yang, Gui-Fu ; Kim, Jun-Soo ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 38 (2023-01-11), S. 025011-25011
    Online unknown
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    Effects of sequential annealing in low oxygen partial-pressure and NO on 4H-SiC MOS devices
    Jin, Zhi ; Zhipeng, Luo ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 36 (2021-03-17), S. 045021-45021
    Online unknown
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    A novel double RESURF SOI-LIGBT with dynamic avalanche immunity and low losses
    Li, Weidan ; Huang, Mingmin ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 38 (2023-02-15), S. 035019-35019
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Ultra-low-power subthreshold logic with germanium junctionless transistors
    Semwal, Sandeep ; Pradeep Kumar Shrivas ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 36 (2021-06-08), S. 075011-75011
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Low-leakage kV-class GaN vertical p–n diodes with non-destructive breakdown enabled by hydrogen-plasma termination with p-GaN extension
    Fu, Kai ; Zhou, Jingan ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 36 (2021-06-07), S. 075009-75009
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Low-temperature in situ deposited CuI-based hole-transporter for perovskite solar cells efficiency enhancement
    Li, Hang ; Fu, Chao ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 38 (2022-11-29), S. 015004-15004
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Electrical-performance and reliability improvement of flexible low-temperature polycrystalline silicon thin-film transistors via post-annealing process
    Im, Hwarim ; Jeong Hyun Ahn ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 37 (2022-08-19), S. 105002-105002
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Fabrication of sheet-like ZnO/ZnS heterostructures with enhanced H2S sensing performance at low operation temperatures
    Wu, Xinwen ; Zhao, Zhen ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 37 (2022-07-06), S. 085017-85017
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Investigation of heavy-ion strikes on a fin field-effect transistor-based low-noise amplifier
    Nagarajan, K. K. ; Rajendiran, P. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 35 (2020-11-04), S. 125028-125028
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Crystalline and optoelectronic properties of Ge1−x Sn x /high-Si-content-Si y Ge1−x−y Sn x double-quantum wells grown with low-temperature molecular beam epitaxy
    Zhang, Shiyu ; Shibayama, Shigehisa ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 38 (2022-12-14), S. 015018-15018
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Low-temperature deposition of 2D SnS nanoflakes on PET substrates for flexible photodetectors with broadband response
    Zhao, Hongxiao ; Li, Shasha ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 35 (2020-09-30), S. 115016-115016
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Low resistance n-contact for UVC LEDs by a two-step plasma etching process
    Hyun Kyong Cho ; Rass, Jens ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 35 (2020-08-04), S. 095019-95019
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Low-power double-gate MoS2 negative capacitance transistors with near-zero DIBL
    Hu, Taiqi ; Cheng, Tiedong ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 37 (2022-09-30), S. 115005-115005
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A 16 nm FinFET circuit with triple function as digital multiplexer, active-high and active-low output decoder for high-performance SRAM architecture
    Jeevan, B ; Sivani, K
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 37 (2022-07-11), S. 085021-85021
    Online unknown
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