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    Zinc-blende AlN and GaN under pressure: structural, electronic, elastic and piezoelectric properties
    KANOUN, M. B ; GOUMRI-SAID, S ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 19 (2004), Heft 11, S. 1220-1231
    Online academicJournal
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    Specific features of band structure in large-sized Si2-xCx (1.04 ≤ x < 1.10) nanocrystallites
    KITYK, I. V
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 18 (2003), Heft 12, S. 1001-1009
    Online academicJournal
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    First-principles investigation of lattice constants and bowing parameters in wurtzite AlxGa1-xN, InxGa1-xN and InxAl1-xN alloys
    DRIDI, Z ; BOUHAFS, B ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 18 (2003), Heft 9, S. 850-856
    Online academicJournal
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    Energy spectrum of electron in quasiplane superlattice of cylindrical quantum dots
    TKACH, N. V ; MAKHANETS, A. M ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 15 (2000), Heft 4, S. 395-398
    Online academicJournal
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    First-principles calculation of the physical properties of GaAs1―xBix alloys
    MBARKI, M ; REBEY, A
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 26 (2011), Heft 10
    Online academicJournal
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    Theoretical study of structural parameters and energy gap composition dependence of Ga1-xBxN alloys
    KANOUN, M. B ; GOUMRI-SAID, S
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 23 (2008), Heft 12
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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