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    CMOS correlated-double-sampling and hold structure based on novel dynamic source-follower for large format infrared focal-plane-array
    ZHI, ZHANG ; XIANGHUI, YUAN ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 18 (2003), Heft 7, S. 680-684
    Online academicJournal
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    A novel CMOS readout circuit for large format IRFPA with background current storage suppression
    ZHI, ZHANG ; XIANGHUI, YUAN ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 18 (2003), Heft 9, S. 881-886
    Online academicJournal
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    Experimental studies on deep submicron CMOS scaling
    CHEN, K ; HU, C ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 13 (1998), Heft 7, S. 816-820
    Online academicJournal
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    Gamma-ray radiation and annealing effects on colour CMOS image sensors
    MENG, Xiang-Ti ; KANG, Ai-Guo ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 18 (2003), Heft 1, S. L1- (3S.)
    Online academicJournal
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    Two experimental methods to characterize load capacitance of a CMOS gate
    KAI, CHEN ; CHENMING, HU ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 13 (1998), Heft 7, S. 773-775
    Online academicJournal
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    Monolithic CMOS-compatible AlGaInP visible LED arrays on silicon on lattice-engineered substrates (SOLES)
    CHILUKURI, Kamesh ; MORI, Michael J ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 22 (2007), Heft 2, S. 29-34
    Online academicJournal
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    A novel STI etching technology to mitigate an inverse narrow width effect, and improve device performances for 90 nm node and beyond CMOS technology
    CHIU, H. Y ; FANG, Y. K ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 22 (2007), Heft 10, S. 1157-1160
    Online academicJournal
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    Characterization and modelling of MOSFET operating at cryogenic temperature for hybrid superconductor-CMOS circuits
    YIJUN, FENG ; PENG, ZHOU ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 19 (2004), Heft 12, S. 1381-1385
    Online academicJournal
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    Embedded CMOS analogue IP core for SOC applications: an experimental case study
    ZHANGMING, ZHU ; YINTANG, YANG ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 19 (2004), Heft 8, S. L81- (5S.)
    Online academicJournal
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    On the high-performance Ti-salicide ULSI CMOS devices prepared by a borderless contact technique and double-implant structure
    THEI, Kong-Beng ; CHUANG, Hung-Ming ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 17 (2002), Heft 3, S. 205-210
    Online academicJournal
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    Evaluation of strained Si/SiGe material for high performance CMOS
    OLSEN, S. H ; O'NEILL, A. G ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 19 (2004), Heft 6, S. 707-714
    Online academicJournal
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    Strained SOI/SGOI dual-channel CMOS technology based on the ge condensation technique
    TEZUKA, Tsutomu ; NAKAHARAI, Shu ; et al.
    In: 3rd International SiGe Technology and Device Meeting (Princeton, New Jersey, 15-17 May 2006), Jg. 22 (2007), Heft 1
    Online Konferenz
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    Reliability aspects of the low-frequency noise behaviour of submicron CMOS technologies
    SIMOEN, E ; CLAEYS, C
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 14 (1999), Heft 8, S. R61- (11S.)
    Online academicJournal
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    Film thickness constraints for manufacturable strained silicon CMOS
    FIORENZA, J. G ; BRAITHWAITE, G ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 19 (2004), Heft 1, S. L4- (5S.)
    Online academicJournal
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    SiGe CMOS fabrication using SiGe MBE and anodic/LTO gate oxide
    SIDEK, R. M ; STRAUBE, U. N ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 15 (2000), Heft 2, S. 135-138
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Enhancing CMOS transistor performance using lattice-mismatched materials in source/drain regions
    YEO, Yee-Chia
    In: 3rd International SiGe Technology and Device Meeting (Princeton, New Jersey, 15-17 May 2006), Jg. 22 (2007), Heft 1
    Online Konferenz
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    Experimental characterization of peripheral photocurrent in CMOS photodiodes down to 65 nm technology
    BLANCO-FILGUEIRA, B ; LOPEZ, P ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 28 (2013), Heft 4
    Online academicJournal
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    Efficient premature edge breakdown prevention in SiAPD fabrication using the standard CMOS process
    KAMRANI, Ehsan ; LESAGE, Frederic ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 28 (2013), Heft 4
    Online academicJournal
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    Hot-carrier-related device reliability for digital and analogue CMOS circuits
    WEBER, W ; THEWES, R
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 10 (1995), Heft 11, S. 1432-1443
    Online academicJournal
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    Ultra-energy-efficient analog-to-digital converters based on single-electron transistor/CMOS hybrid technology for biomedical applications
    JIEUN, LEE ; CHOI, Changmin ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 24 (2009), Heft 11
    Online academicJournal
    Zugriff:
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