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    A new surface-flattening method using single-point diamond turning (SPDT) and its effects on LPE HgCdTe photodiodes
    LEE, M Y ; EIM, Y. H ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 21 (2006), Heft 1, S. 40-43
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    The effect of high-frequency sonication on charge carrier transport in LPE and MBE HgCdTe layers
    SAVKINA, R. K ; SMIRNOV, A. B ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 22 (2007), Heft 2, S. 97-102
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Study of the formation mechanism of InGaAs pyramidal layers on GaAs(100) patterned substrates by LPE
    BALAKRISHNAN, K ; IIDA, S ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 17 (2002), Heft 7, S. 729-734
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Epitaxial lateral overgrowth of GaAs : effect of doping on LPE growth behaviour
    ZYTKIEWICZ, Z. R ; DOBOSZ, D ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 14 (1999), Heft 5, S. 465-469
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Schottky barrier height modification on high-purity LPE GaAs following a sulphur-based etch
    BUTCHER, K. S. A ; ALEXIEV, D ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 8 (1993), Heft 7, S. 1451-1458
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Determination of the Np and pP heterojunction quality in AlxGa1-xAs LPE-grown double heterostructures from the capacitance measurements
    PUZIN, I. B ; PHYLIPTCHENKO, V. YA ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 7 (1992), Heft 4, S. 529-535
    Online academicJournal
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    A new surface-flattening method using single-point diamond turning (SPDT) and its effects on LPE HgCdTe photodiodes
    Yang, SC ; Lee, YS ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 21 (2005-11-28), S. 40-43
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    The effect of high-frequency sonication on charge carrier transport in LPE and MBE HgCdTe layers
    Savkina, R. K. ; Smirnov, A. B. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 22 (2006-12-19), S. 97-102
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Growth and characterisation of CdxHg1-xTe grown by LPE using a novel sliding boat
    BRICE, J. C ; CAPPER, P ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 2 (1987), Heft 11, S. 710-715
    Online academicJournal
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Study of the formation mechanism of InGaAs pyramidal layers on GaAs(100) patterned substrates by LPE
    Iida, S. ; Kumagawa, Masashi ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 17 (2002-06-18), S. 729-734
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Photoluminescence studies of LPE AlxGa1-xSb
    KITAMURA, N ; YAMAMOTO, H ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 2 (1987), Heft 5, S. 318-320
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Structural properties of Hg1-xMnxTe layers grown on CdTe substrates by liquid phase epitaxy
    SOCHINSKII, N. V ; SOARES, J. C ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 11 (1996), Heft 4, S. 542-547
    Online academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Hall mobility and electron trap density in GaAsN grown by liquid phase epitaxy
    DHAR, S ; MONDAL, A ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 23 (2008), Heft 1
    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    High quality InAs grown by liquid phase epitaxy using gadolinium gettering
    GAO, H. H ; KRIER, A ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 14 (1999), Heft 5, S. 441-445
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Characterization of InAs0.91Sb0.09 for use in mid-infrared light-emitting diodes grown by liquid phase epitaxy from Sb-rich solution
    KRIER, A ; STONE, M ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 22 (2007), Heft 6, S. 624-628
    Online academicJournal
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    Growth and characterization of InAs layers obtained by liquid phase epitaxy from Bi solvents
    GLADKOV, P ; NOHAVICA, D ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 21 (2006), Heft 4, S. 544-549
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Detailed studies on the origin of nitrogen-related electron traps in dilute GaAsN layers grown by liquid phase epitaxy
    DHAR, S ; HALDER, N ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 20 (2005), Heft 12, S. 1168-1172
    Online academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Obtaining GaSb/InAs heterostructures by liquid phase epitaxy
    MARONCHUK, I. Ye ; KURAK, V. V ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 19 (2004), Heft 6, S. 747-751
    Online academicJournal
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    Effect of Te doping of InGaAsSb layers on the interface quality of InGaAsSb/GaSb heterojunctions
    RIECH, I ; MENDOZA-ALVAREZ, J. G ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 18 (2003), Heft 8, S. 763-767
    Online academicJournal
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    The coalescence of ELO layers of InxGa1-xAs grown on patterned (111) GaAs by liquid phase epitaxy
    IIDA, S ; BALAKRISHNAN, K ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 16 (2001), Heft 4, S. 209-215
    Online academicJournal
    Zugriff:
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