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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Photoluminescence studies of LPE AlxGa1-xSb
    KITAMURA, N ; YAMAMOTO, H ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 2 (1987), Heft 5, S. 318-320
    Online academicJournal
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    Photoluminescence studies of LPE AlxGa1-xSb
    Wada, Takao ; Usami, A ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 2 (1987-05-01), S. 318-320
    Online unknown
    Zugriff:
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    High quality InAs grown by liquid phase epitaxy using gadolinium gettering
    GAO, H. H ; KRIER, A ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 14 (1999), Heft 5, S. 441-445
    Online academicJournal
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Characterization of InAs0.91Sb0.09 for use in mid-infrared light-emitting diodes grown by liquid phase epitaxy from Sb-rich solution
    KRIER, A ; STONE, M ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 22 (2007), Heft 6, S. 624-628
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Growth and characterization of InAs layers obtained by liquid phase epitaxy from Bi solvents
    GLADKOV, P ; NOHAVICA, D ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 21 (2006), Heft 4, S. 544-549
    Online academicJournal
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Properties of GaAsN layers grown from melt containing Li3N as flux for enhancing nitrogen dissolution
    DAS, S. K ; DAS, T. D ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 26 (2011), Heft 8
    Online academicJournal
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    Full Text Finder (Volltext)
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  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Experimental study of the effect of local atomic ordering on the energy band gap of melt grown InGaAsN alloys
    Georgiev, S. ; Ekins-Daukes, Nicholas J. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 32 (2017-07-04), S. 085005-85005
    Online unknown
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  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Interface-induced optical and transport phenomena in type II broken-gap single heterojunctions
    MIKHAILOVA, M. P ; MOISEEV, K. D ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 19 (2004), Heft 10, S. R109- (20S.)
    Online academicJournal
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A photoluminescence and photocapacitance study of GaAs:In and GaAs:Sb layers grown by liquid-phase epitaxy
    Mallik, Kanad ; Sinha, S ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 9 (1994-09-01), S. 1649-1653
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    High-temperature optical properties of GaAs/AlGaAs double heterostructures
    HALLIN, C ; BERGMAN, J. P ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 10 (1995), Heft 6, S. 841-845
    Online academicJournal
    Zugriff:
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    High quality InAs grown by liquid phase epitaxy using gadolinium gettering
    Krier, Anthony ; Sherstnev, V.V. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 14 (1999), S. 441-445
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    High temperature optical properties of GaAs/AlGaAs double heterostructures
    Bergman, J. P. ; Janzén, Erik ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 10 (1995-06-01), S. 841-845
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Impurity breakdown and electric-field-dependent luminescence in MBE and VPE GaAs layers
    Petricek, O ; Karel, F ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 7 (1992-02-01), S. 203-209
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    On excitation and decay mechanisms of the Yb3+luminescence in InP
    Stapor, A. ; Pressel, K. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 5 (1990-11-01), S. 1124-1131
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Measurement of the defect distribution of an InGaAsP/GaAs heterojunction diode by LBIC
    Hiramatsu, K. ; Zhu, Qinsheng ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 2 (1987-06-01), S. 363-370
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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