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    Electrical characterization of transfer transistors with pure and nitirided gate oxides in four-transistor CMOS image pixels
    SONG, Young-Joo ; SIVONGSAY, Vetpany ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 23 (2008), Heft 7
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Reliability aspects of the low-frequency noise behaviour of submicron CMOS technologies
    Simoen, Eddy ; Claeys, Cor
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 14 (1999), S. R61- (11S.)
    Online unknown
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    Four-transistor pinned photodiodes in standard CMOS technologies for time-of-flight sensors
    Lopez, Paula ; Domenech-Asensi, G. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 30 (2015-02-19), S. 045002-45002
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    A 2D model for radiation-hard CMOS annular transistors
    Cabello, Diego ; Pardo, F. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 24 (2009-11-24), S. 125009-125009
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Ultra-energy-efficient analog-to-digital converters based on single-electron transistor/CMOS hybrid technology for biomedical applications
    Park, Sungwook ; Choi, Changmin ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 24 (2009-10-09), S. 115007-115007
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Electrical characterization of transfer transistors with pure and nitirided gate oxides in four-transistor CMOS image pixels
    Phasy, Somkiat ; Keophilavong, Somsathith ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 23 (2008-05-28), S. 075032-75032
    Online unknown
    Zugriff:
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    Optimization of lateral double-diffused MOS transistors in 0.18 µm bipolar-CMOS-DMOS technology for wide-voltage applications
    Y O Choi ; S Y Kim
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 25 (2010-10-04), S. 115002-115002
    Online unknown
    Zugriff:
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    Analysis and optimization of safe-operating-area of LUDMOS transistors based on 0.18 µm SOI CMOS technology
    Urresti, J. ; Toulon, Gaëtan ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 25 (2010-03-09), S. 045013-45013
    Online unknown
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    Effect of the gate scaling on the analogue performance of s-Si CMOS devices
    Calvo-Gallego, Jaime ; Velázquez-Pérez, Jesus E. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 26 (2011-08-16), S. 095030-95030
    Online unknown
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    Design and optimization of different P-channel LUDMOS architectures on a 0.18 µm SOI-CMOS technology
    Hugonnard-Bruyere, E. ; Cortes, I. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 26 (2011-04-15), S. 075018-75018
    Online unknown
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    Integrated circuit process control monitoring (PCM) data and wafer yield analysed by using synchrotron x-ray topographic measurements
    KARILAHTI, M ; TUOMI, T ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 18 (2003), Heft 1, S. 45-55
    Online academicJournal
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