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    Investigation of VO?Zni?native donor complex in MBE grown bulk ZnO
    Asghar, M ; Mahmood, K ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 28 (2013-10-01), Heft 10
    Online academicJournal
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    Investigation of VO-Zni native donor complex in MBE grown bulk ZnO
    Asghar, M ; Mahmood, K ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 28 (2013-10-01), Heft 10
    Online academicJournal
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    Origin of a localized vibrational mode in a GaSb substrate with a MBE-grown ZnTe epilayer
    KIM, Hyunjung ; TARHAN, E ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 21 (2006), Heft 9, S. 1224-1228
    Online academicJournal
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    Characteristics of MOCVD- and MBE-grown InGa(N)As VCSELs
    YANG, H.-P. D ; LU, C ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 20 (2005), Heft 8, S. 834-839
    Online academicJournal
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    The effect of high-frequency sonication on charge carrier transport in LPE and MBE HgCdTe layers
    SAVKINA, R. K ; SMIRNOV, A. B ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 22 (2007), Heft 2, S. 97-102
    Online academicJournal
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    Electrical properties of N-doped ZnO grown on sapphire by P-MBE
    WANG, X ; LU, Y. M ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 22 (2007), Heft 2, S. 65-69
    Online academicJournal
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    InP decomposition phosphorus beam source for MBE: design, properties and superlattice growth
    PUTYATO, M. A ; BOLKHOVITYANOV, Yu B ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 18 (2003), Heft 6, S. 417-422
    Online academicJournal
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    Thermodynamic analysis of the MBE growth of GaInAsN
    ODNOBLYUDOV, V. A ; EGOROV, A. Yu ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 16 (2001), Heft 10, S. 831-835
    Online academicJournal
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    Optimization of RF plasma sources for the MBE growth of nitride and dilute nitride semiconductor material
    GRANT, V. A ; CAMPION, R. P ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 22 (2007), Heft 2, S. 15-19
    Online academicJournal
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    Microstructural characterization of low-temperature grown GaMnN on GaAs(0 01) substrates by plasma-assisted MBE
    HAN, Y ; FAY, M. W ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 22 (2007), Heft 10, S. 1131-1139
    Online academicJournal
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    MBE-grown high-efficiency GaInAsSb mid-infrared detectors operating under back illumination
    REDDY, M. H. M ; OLESBERG, J. T ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 21 (2006), Heft 3, S. 267-272
    Online academicJournal
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    Microstructural characterization of low-temperature grown GaMnN on GaAs(0 0 1) substrates by plasma-assisted MBE
    Han, Y. ; Fay, M. W. ; et al.
    In: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, Jg. 22 (2007), Heft 10, S. 1131-1139
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
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    MBE growth of (In)GaAsN on GaAs using a constricted DC plasma source
    ZHUKOV, A. E ; ZHAO, R ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 16 (2001), Heft 5, S. 413-419
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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