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    academicJournal
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    Degradation and lifetime estimation of n-MOS SLS ELA polycrystalline TFTs during hot carrier stressing: effect of channel width in the region Vth ≤ VGS,stress ≤ VDS,stress/2
    KONTOGIANNOPOULOS, G. P ; FARMAKIS, F. V ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 24 (2009), Heft 7
    Online academicJournal
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    DC and RF performance of lateral AlGaN/GaN FinFET with ultrathin gate dielectric
    Yılmaz, Doğan ; Odabaşı, O. ; et al.
    In: Semiconductor Science and Technology, 2022
    Online academicJournal
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    Effect of electric-field-induced mobility degradation on the velocity distribution in a sub- mu m length channel of InGaAs/AlGaAs heterojunction MODFET
    In: Semiconductor Science and Technology, Jg. 5 (1990-09-01), Heft 9, S. 967-973
    Online serialPeriodical
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    Halo implant in pseudomorphic SiGe channel p-MOSFET devices to reduce short channel effect
    TANG, Y. T ; CERRINA, C ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 20 (2005), Heft 8, S. 673-676
    Online academicJournal
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    High-energy radiation effects on subthreshold characteristics, transconductance and mobility of n-channel mosfets
    PRAKASH, A. P ; KE, S. C ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 18 (2003), Heft 12, S. 1037-1042
    Online academicJournal
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    Electrical stressing effects in solid-phase crystallized polysilicon thin film transistors
    KOUVATSOS, D. N ; VAMVAKAS, V. E ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 17 (2002), Heft 6, S. 515-521
    Online academicJournal
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    An analytical physical model for short-channel MOSFETs
    YANG, M. H ; YU, Q ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 14 (1999), Heft 8, S. 715-720
    Online academicJournal
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    Sensitivity of on-resistance and threshold voltage to buffer-related deep level defects in AlGaN/GaN high electron mobility transistors
    ARMSTRONG, Andrew M ; ALLERMAN, Andrew A ; et al.
    In: Gallium nitride electronics, Jg. 28 (2013), Heft 7
    Online academicJournal
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    AlN barrier HFETs with AlGaN channels to shift the threshold voltage to higher positive values: a proposal
    HAHN, Herwig ; REUTERS, Ben ; et al.
    In: Gallium nitride electronics, Jg. 28 (2013), Heft 7
    Online academicJournal
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    Investigation on the electrical characteristics of a pentacene thin-film transistor and its reliability under positive drain bias stress
    FAN, Ching-Lin ; CHIU, Ping-Cheng ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 26 (2011), Heft 12
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    Threshold-voltage distribution of Pt/SrBi2Ta2O9/Hf-Al-O /Si MFIS FETs
    LI, Qiu-Hong ; TAKAHASHI, Mitsue ; et al.
    In: Semiconductor science and technology, Jg. 23 (2008), Heft 4
    Online academicJournal
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