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    Electroluminescence of InAs/InAs(Sb)/InAsSbP LED heterostructures in the temperature range 4.2-300 K.
    Mynbaev, K. ; Bazhenov, N. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 51 (2017-02-01), Heft 2, S. 239-244
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record at Springer (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    A Numerical Calculation of Auger Recombination Coefficients for InGaAsP/InP Quantum Well Heterostructures.
    Gun’ko, N. A. ; Polkovnikov, A. S. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 34 (2000-04-01), Heft 4, S. 448-452
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    Online serialPeriodical
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    Volltext (PDF)
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    A numerical calculation of auger recombination coefficients for InGaAsP/InP quantum well heterostructures
    Gun’ko, N. A. ; Zegrya, Georgy G. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 34 (2000-04-01), S. 448-452
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Nachschlagewerk
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -