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    Modification of Photovoltaic Laser-Power (λ = 808 nm) Converters Grown by LPE
    Khvostikov, V. P. ; Sorokina, S. V. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 52 (2018-03-01), Heft 3, S. 366-370
    Online academicJournal
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    InGaAsP/InP Photovoltaic Converters for Narrowband Radiation
    Potapovich, N. S. ; Nakhimovich, M. V. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 57 (2023-12-01), Heft 13, S. 611-614
    Online academicJournal
    Zugriff:
    View record at Springer (Volltext)
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    Modification of Photovoltaic Laser-Power (λ = 808 nm) Converters Grown by LPE
    Shvarts, M. Z. ; Potapovich, N. S. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 52 (2018-03-01), S. 366-370
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
    View record in OpenAIRE (Volltext)
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    Nachschlagewerk
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    Optical and Structural Properties of HgCdTe Solid Solutions with a High CdTe Content.
    Mynbaev, K. D. ; Bazhenov, N. L. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 54 (2020-12-01), Heft 12, S. 1561-1566
    Online academicJournal
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    Examination of properties of epitaxial and bulk gallium antimonide.
    Khvostikov, V. ; Sorokina, S. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 42 (2008-10-01), Heft 10, S. 1179-1186
    Online academicJournal
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    Effect of Dislocation-related Deep Levels in Heteroepitaxial InGaAs/GaAs and GaAsSb/GaAs p- i- n Structures on the Relaxation time of Nonequilibrium Carriers.
    Sobolev, M. ; Soldatenkov, F.
    In: Semiconductors, Jg. 52 (2018-02-01), Heft 2, S. 165-171
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Laser (λ = 809 nm) power converter based on GaAs.
    Khvostikov, V. ; Sorokina, S. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 51 (2017-05-01), Heft 5, S. 645-648
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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    GaSb laser-power (λ = 1550 nm) converters: Fabrication method and characteristics.
    Khvostikov, V. ; Sorokina, S. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 50 (2016-10-01), Heft 10, S. 1338-1343
    Online academicJournal
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    Effect of Dislocation-related Deep Levels in Heteroepitaxial InGaAs/GaAs and GaAsSb/GaAsp-i-n Structures on the Relaxation time of Nonequilibrium Carriers
    Sobolev, M.M. ; Soldatenkov, F. Yu.
    In: Semiconductors, Jg. 52 (2018-02-01), Heft 2, S. 165-171
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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    Photodiodes for a 1.5–4.8μm Spectral Range Based on Type-II GaSb/InGaAsSb Heterostructures.
    Stoyanov, N. D. ; Mikhaılova, M. P. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 35 (2001-04-01), Heft 4, S. 453-458
    Online academicJournal
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    Magnetotransport in a Semimetal Channel in p-Ga[sub 1 – ][sub x]In[sub x]As[sub y]Sb[sub 1 – ][sub y] / p-InAs Heterostructures with Various Compositions of the Solid Solution.
    Voronina, T. I. ; Lagunova, T. S. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 34 (2000-02-01), Heft 2, S. 189-194
    Online academicJournal
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    Ellipsometric Study of Ultrathin Al[sub x]Ga[sub 1 – ][sub x]As Layers.
    Sukhorukova, M. V. ; Skorokhodova, I. A. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 34 (2000), Heft 1, S. 56-60
    Online academicJournal
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    InAs flip-chip LEDs with InGaAsSb buffer layers.
    Zotova, N. V. ; Il'inskaya, N. D. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 40 (2006-08-01), Heft 8, S. 977-981
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    Photovoltaic converters based on GaAs and AlGaAs epitaxial layers on GaAs substrates with developed surface area.
    Arsent’ev, I.N. ; Bobyl’, A.V. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 40 (2006-07-01), Heft 7, S. 854-859
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    Optical and Structural Properties of HgCdTe Solid Solutions with a High CdTe Content
    Smirnov, A. M. ; Remesnik, V. G. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 54 (2020-12-01), S. 1561-1566
    Online unknown
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    Radiative Recombination via Direct Optical Transitions in In[sub 1 – ][sub x]Ga[sub x]As(0≤x≤0.16) Solid Solutions.
    Aıdaraliev, M. ; Zotova, N. V. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 35 (2001-12-01), Heft 12, S. 1369-1371
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    Examination of properties of epitaxial and bulk gallium antimonide
    Potapovich, N. S. ; Sorokina, S. V. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 42 (2008-09-30), S. 1179-1186
    Online unknown
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