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    Effect of Electron Irradiation with an Energy of 0.9 MeV on the I–V Characteristics and Low-Frequency Noise in 4H–SiC pin Diodes
    Dobrov, V. A. ; Kozlovski, V. V. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 53 (2019-04-01), Heft 4, S. 545-551
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Structure and Properties of Zn-Implanted Si Near-Surface Layer Modification Depending on Irradiation Fluence of <superscript>132</superscript>Xe<superscript>26+</superscript> Ions with Energy of 167 MeV
    Privezentsev, V. V. ; Kulikauskas, V. S. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 53 (2019-03-01), Heft 3, S. 313-320
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Some challenging points in the identification of defects in floating-zone n-type silicon irradiated with 8 and 15 MeV protons
    Emtsev, V. V. ; Abrosimov, N. V. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 50 (2016-10-01), Heft 10, S. 1291-1298
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Semi-insulating 4H-SiC layers formed by the implantation of high-energy (53 MeV) argon ions into n-type epitaxial films
    Ivanov, P. A. ; Kudoyarov, M. F. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 50 (2016-07-01), Heft 7, S. 920-923
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Effect of irradiation with MeV protons and electrons on the conductivity compensation and photoluminescence of moderately doped p-4H-SiC (CVD)
    Kozlovski, V. V. ; Lebedev, A. A. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 49 (2015-09-01), Heft 9, S. 1163-1165
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    The electrical and optical properties of InAs irradiated with electrons (∼2 MeV): The energy structure of intrinsic point defects
    Brudnyi, V. N. ; Grinyaev, S. N. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 39 (2005-04-01), Heft 4, S. 385-394
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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    Wie komme ich dran?
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    Effect of Electron Irradiation with an Energy of 0.9 MeV on the I–V Characteristics and Low-Frequency Noise in 4H–SiC pin Diodes
    Shmidt, N. M. ; Usychenko, V. G. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 53 (2019-04-01), S. 545-551
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Structure and Properties of Zn-Implanted Si Near-Surface Layer Modification Depending on Irradiation Fluence of 132Xe26+ Ions with Energy of 167 MeV
    Kulikauskas, V. S. ; Privezentsev, Vladimir ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 53 (2019-03-01), S. 313-320
    Online unknown
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    Volltext (PDF)
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    Wie komme ich dran?
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    Radiation defects in n-6H-SiC irradiated with 8 MeV protons
    Lebedev, A. A. ; Veinger, A. I. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 34 (2000-08-01), Heft 8, S. 861-866
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Structure and Properties of Zn-Implanted Si Near-Surface Layer Modification Depending on Irradiation Fluence of <superscript>132</superscript>Xe<superscript>26+</superscript> Ions with Energy of 167 MeV.
    Privezentsev, V. V. ; Kulikauskas, V. S. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 53 (2019-03-01), Heft 3, S. 313-320
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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    Wie komme ich dran?
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    Some challenging points in the identification of defects in floating-zone n-type silicon irradiated with 8 and 15 MeV protons
    Abrosimov, Nickolay ; Oganesyan, Gagik A. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 50 (2016-10-01), S. 1291-1298
    Online unknown
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    Volltext (PDF)
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    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Semi-insulating 4H-SiC layers formed by the implantation of high-energy (53 MeV) argon ions into n-type epitaxial films
    Ivanov, Pavel ; Kudoyarov, M. F. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 50 (2016-07-01), S. 920-923
    Online unknown
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    Online academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Semi-insulating 4 H-SiC layers formed by the implantation of high-energy (53 MeV) argon ions into n-type epitaxial films.
    Ivanov, P. ; Kudoyarov, M. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 50 (2016-07-01), Heft 7, S. 920-923
    Online academicJournal
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    Volltext (PDF)
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Effect of irradiation with MeV protons and electrons on the conductivity compensation and photoluminescence of moderately doped p-4H-SiC (CVD)
    Seredova, N. V. ; Kozlovski, Vitali V. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 49 (2015-09-01), S. 1163-1165
    Online unknown
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    Online serialPeriodical
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    Radiation defects in n-6H-SiC irradiated with 8 MeV protons
    Strel'chuk, Anatoly M. ; Davydov, Denis ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 34 (2000-08-01), S. 861-866
    Online unknown
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    Volltext (PDF)
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    The Electrical and Optical Properties of InAs Irradiated with Electrons (∼2 MeV): The Energy Structure of Intrinsic Point Defects.
    Brudny&icaron;, V. N. ; Grinyaev, S. N. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 39 (2005-04-01), Heft 4, S. 385-394
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    The Electrical and Optical Properties of InAs Irradiated with Electrons (∼2 MeV): The Energy Structure of Intrinsic Point Defects
    Brudnyi, V. N. ; Kolin, N. G. ; et al.
    In: Semiconductors, Jg. 39 (2005), S. 385-385
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext (PDF)
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