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    45nm CMOS Platform Technoligy (CMOS 6) : Semiconductors and integrated circuits technology
    Iwai, M. ; Oishi, A. ; et al.
    In: SEMICONDUCTORS AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, 2004, Heft 67, S. 76-79
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High-Reliability CMOS Technology for 65-nm Node and Beyond : Semiconductors and integrated circuits technology
    Yamashita, T.
    In: SEMICONDUCTORS AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, 2004, Heft 67, S. 60-63
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Fully Compatible Integration of Embedded DRAM with 65nm CMOS Technology : Semiconductors and integrated circuits technology
    Yasumoto, K. ; Matubara, Y. ; et al.
    In: SEMICONDUCTORS AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, 2004, Heft 67, S. 52-55
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Power-aware 65 nm Node CMOS Technology Using Variable Vdd and Back-bias Control with Reliability Consideration for Back-bias Mode : Semiconductors and integrated circuits technology
    Togo, M. ; Fukai, T. ; et al.
    In: SEMICONDUCTORS AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, 2004, Heft 67, S. 48-51
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Ultra Shallow Junction for sub-50nm CMOS - The Role of Plasma Doping - : Semiconductors and integrated circuits technology
    Mizuno, B.
    In: SEMICONDUCTORS AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, 2003, Heft 65, S. 10-13
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    14nm Gate Length CMOS FETs Utilizing Low Thermal Budget Process with Poly-SiGe and Ni Salicide : Semiconductors and integrated circuits technology
    Hokazono, A. ; Ohuchi, K. ; et al.
    In: SEMICONDUCTORS AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, 2003, Heft 65, S. 30-33
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Low-Noise 0.10mum Body-Tied SOI-CMOS Technology for High-Frequency Network LSI : Semiconductors and integrated circuits technology
    Tsujiuchi, M. ; Iwamatsu, T. ; et al.
    In: SEMICONDUCTORS AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, 2003, Heft 65, S. 38-41
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High Performance Strained-SOI CMOS Technology : Semiconductors and integrated circuits technology
    Mizuno, T.
    In: SEMICONDUCTORS AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, 2003, Heft 65, S. 34-37
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Silicon oxynitride gate dielectrics for advanced CMOS devices : Semiconductors and integrated circuits technology
    Yugami, J. ; Tsujikawa, S. ; et al.
    In: SEMICONDUCTORS AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, 2003, Heft 65, S. 26-29
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A Low Power and High Speed HfSiO CMOS FET with Dual Poly-Si Gate Electrodes : Semiconductors and integrated circuits technology
    Iwamoto, T. ; Ogura, T. ; et al.
    In: SEMICONDUCTORS AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, 2003, Heft 65, S. 14-17
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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