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    Double-level copper interconnections using selective copper CVD
    Awaya, N. ; Ohono, K. ; et al.
    In: Seventh International IEEE Conference on VLSI Multilevel Interconnection, 1990, S. 254-260
    Konferenz
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    Improved CVD aluminum deposition using in-situ sputtered nucleation layers
    Cheung, K.P. ; Case, C.J. ; et al.
    In: Seventh International IEEE Conference on VLSI Multilevel Interconnection, 1990, S. 303-309
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The incorporation of copper in CVD aluminum by diffusion from in-situ sputtered sources
    Kwakman, L.F.T. ; Huibregtse, D. ; et al.
    In: Seventh International IEEE Conference on VLSI Multilevel Interconnection, 1990, S. 282-288
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Dependence of deposition rate on base materials in TEOS/O/sub 3/ AP CVD
    Fujino, K. ; Nishimoto, Y. ; et al.
    In: Seventh International IEEE Conference on VLSI Multilevel Interconnection, 1990, S. 187-193
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Integration of an in situ RIE preclean with a CVD tungsten silicide deposition process
    Nowicki, R.S. ; Geraghty, P. ; et al.
    In: Seventh International IEEE Conference on VLSI Multilevel Interconnection, 1990, S. 462-467
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The effect of CVD W/TiW metallization on very shallow CoSi/sub 2/ junctions
    Eshraghi, S.A. ; Georgiou, G.E. ; et al.
    In: Seventh International IEEE Conference on VLSI Multilevel Interconnection, 1990, S. 319-321
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Modelling fusible CVD glass planarization flow contours
    White, L.K.
    In: Seventh International IEEE Conference on VLSI Multilevel Interconnection, 1990, S. 377-379
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Numerical simulation of CVD trench filling using a surface reaction coefficient model
    Rey, J.C. ; Cheng, L. Y. ; et al.
    In: Seventh International IEEE Conference on VLSI Multilevel Interconnection, 1990, S. 425-427
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Barrier metal effects on electromigration of layered aluminum metallization
    Hoang, H.H. ; Coy, R.A. ; et al.
    In: Seventh International IEEE Conference on VLSI Multilevel Interconnection, 1990, S. 133-141
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A low-temperature in-situ deposition and planarizing phosphosilicate glass process for filling high-aspect-ratio topography
    Pennington, S. ; Hallock, D.
    In: Seventh International IEEE Conference on VLSI Multilevel Interconnection, 1990, S. 71-75
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Resistless patterning of aluminum
    Cacouris, T. ; Scarmozzino, R. ; et al.
    In: Seventh International IEEE Conference on VLSI Multilevel Interconnection, 1990, S. 268-274
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Electron cyclotron resonance (ECR) deposited SiO/sub 2/ films for interlayer dielectric application
    Chiang, C. ; Fraser, D.B. ; et al.
    In: Seventh International IEEE Conference on VLSI Multilevel Interconnection, 1990, S. 381-383
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Sub-atmospheric chemical vapor deposition (SACVD) of TEOS-ozone USG and BPSG
    Lee, P. ; Galiano, M. ; et al.
    In: Seventh International IEEE Conference on VLSI Multilevel Interconnection, 1990, S. 396-398
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A novel zero-overlap/enclosure metal interconnection technology for high density logic VLSIs
    Shibata, H. ; Ikeda, N. ; et al.
    In: Seventh International IEEE Conference on VLSI Multilevel Interconnection, 1990, S. 15-20
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A high performance, four metal layer interconnect system for bipolar and BiCMOS circuits
    Wilson, S.R. ; Freeman, J.L. ; et al.
    In: Seventh International IEEE Conference on VLSI Multilevel Interconnection, 1990, S. 42-48
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Low temperature interlayer formation technology using a new siloxane polymer film
    Suzuki, M. ; Homma, T. ; et al.
    In: Seventh International IEEE Conference on VLSI Multilevel Interconnection, 1990, S. 173-179
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Characterization and simulation of PECVD and APCVD oxide step coverage
    Lesaicherre, P. Y. ; Gerodolle, A. ; et al.
    In: Seventh International IEEE Conference on VLSI Multilevel Interconnection, 1990, S. 159-165
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Quantitative measurement of the moisture content in thin films
    Cox, J.N. ; Shergill, G. ; et al.
    In: Seventh International IEEE Conference on VLSI Multilevel Interconnection, 1990, S. 419-424
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    An optimized high pressure tungsten process for VLSI interconnect and plug applications
    Shenasa, M. ; Davies, T.
    In: Seventh International IEEE Conference on VLSI Multilevel Interconnection, 1990, S. 322-324
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Issues associated with the use of electroless copper films for submicron multilevel interconnections
    Thomas, M.E. ; Sekigahama, S. ; et al.
    In: Seventh International IEEE Conference on VLSI Multilevel Interconnection, 1990, S. 335-337
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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