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    Strained Si/SiGe channels: A new performance advantage for PD/SOI CMOS
    WEIMIN, ZHANG ; FOSSUM, Jerry G
    In: Silicon-on-insulator technology and devices XI (Paris, 28 April - 2 May 2003), 2003, S. 349-354
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Extremely scaled ultra-thin-body and finfet CMOS devices
    BALASUBRAMANIAN, Sriram ; CHANG, Leland ; et al.
    In: Silicon-on-insulator technology and devices XI (Paris, 28 April - 2 May 2003), 2003, S. 197-208
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Radiation damage in deep submicron partially depleted SOI CMOS
    SIMOEN, E ; RAFI, J. M ; et al.
    In: Silicon-on-insulator technology and devices XI (Paris, 28 April - 2 May 2003), 2003, S. 437-442
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High performace strained-SOI CMOSFETs
    TAKAGI, Shin-Ichi ; MIZUNO, Tomohisa ; et al.
    In: Silicon-on-insulator technology and devices XI (Paris, 28 April - 2 May 2003), 2003, S. 159-174
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Status and future development of PDSOI MOSFETs
    KRISHNAN, Srinath
    In: Silicon-on-insulator technology and devices XI (Paris, 28 April - 2 May 2003), 2003, S. 215-224
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Replacing the box with buried alumina: Improved thermal dissipation in SOI MOSFETs
    OSHIMA, K ; CRISTOLVEANU, S ; et al.
    In: Silicon-on-insulator technology and devices XI (Paris, 28 April - 2 May 2003), 2003, S. 45-50
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Nature of high-temperature charge instability in fully depleted SOI MOSFETs
    NAZAROV, A. N ; LYSENKO, V. S ; et al.
    In: Silicon-on-insulator technology and devices XI (Paris, 28 April - 2 May 2003), 2003, S. 455-460
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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