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    High deposition rate amorphous and polycrystalline silicon materials using the pulsed plasma and Hot-Wire CVD techniques
    MADAN, A ; MORRISON, S
    In: International Symposium on H2 - Fuel Cell - Photovoltaic Systems - 1, Jg. 55 (1998), Heft 1-2, S. 127-139
    Online Konferenz
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    Thin film poly-Si formation for solar cells by Flux method and Cat-CVD method
    NIIRA, K ; HAKUMA, H ; et al.
    In: Solar energy materials and solar cells, Jg. 69 (2001), Heft 2, S. 107-114
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Investigations on hydrogenated amorphous silicon films growth at high rate in a UHV plasma CVD system
    DIXIT, P. N ; PANWAR, O. S ; et al.
    In: Solar energy materials and solar cells, Jg. 37 (1995), Heft 2, S. 143-157
    Online academicJournal
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    The effect of substrate temperature on P-CVD deposited a-SiGe : H films
    RASHAD, A ; SALI, J. V ; et al.
    In: Solar energy materials and solar cells, Jg. 57 (1999), Heft 3, S. 209-216
    Online academicJournal
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    High-photosensitivity a-SiGe:H films prepared by RF glow discharge plasma CVD method
    FANGQING, ZHANG ; ZHIZHONG, SONG ; et al.
    In: Solar energy materials and solar cells, Jg. 29 (1993), Heft 3, S. 195-200
    academicJournal
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    Synthesis of highly conductive boron-doped p-type hydrogenated microcrystalline silicon (μc-Si:H) by a hot-wire chemical vapor deposition (HWCVD) technique
    JADKAR, S. R ; SALI, Jaydeep V ; et al.
    In: Solar energy materials and solar cells, Jg. 64 (2000), Heft 4, S. 333-346
    Online academicJournal
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    Control of the properties of wide bandgap a-SiC : H films prepared by RF PECVD method by varying methane flow rate
    IFTIQUAR, S. M ; BARUA, A. K
    In: Solar energy materials and solar cells, Jg. 56 (1999), Heft 2, S. 117-123
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
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