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    Composition dependent structural modification in relaxed Si 1− xGe x films by 100 MeV Au beam
    Kanjilal, A. ; Kanjilal, D.
    In: Solid State Communications, Jg. 137 (2006), Heft 7, S. 371-375
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Growth and properties of magnetron cosputtering grown Mn xGe 1− x on Si (001)
    Liu, Lifeng ; Chen, Nuofu ; et al.
    In: Solid State Communications, Jg. 137 (2006), Heft 3, S. 126-128
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Structural study of Co xGe 100− x alloys produced by mechanical alloying
    Machado, K.D. ; Gasperini, A.A.M. ; et al.
    In: Solid State Communications, Jg. 136 (2005), Heft 8, S. 466-469
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A quantitative understanding of pressure dependent conductivity of FeSi 1− xGe x
    Mani, Awadhesh
    In: Solid State Communications, Jg. 132 (2004), Heft 8, S. 551-556
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Magnetic phase transitions in the CeMn 2− xFe xGe 2 compounds
    Kabak, M. ; Elmali, A. ; et al.
    In: Solid State Communications, Jg. 132 (2004), Heft 1, S. 31-35
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
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    The magnetic phase transitions and magnetocaloric effect in MnNi 1− xCo xGe alloys
    Zhang, C.L. ; Chen, J. ; et al.
    In: Solid State Communications, Jg. 151 (2011), Heft 19, S. 1359-1362
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Magnetic properties of Mn +-implanted and annealed Si 1− xGe x thin films grown on p-Si (100) substrates
    Kwon, Y.H. ; Kang, T.W. ; et al.
    In: Solid State Communications, Jg. 147 (2008), Heft 5, S. 161-164
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Surface roughening in Si 1− xGe x alloy films by 100 MeV Au: Composition dependency
    Kanjilal, A. ; Kanjilal, D.
    In: Solid State Communications, Jg. 139 (2006), Heft 10, S. 531-536
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Band offsets in SiSi 1−xGe x and GeSi 1−xGe x strained heterojunctions
    Muñoz, A. ; Brey, L. ; et al.
    In: Solid State Communications, Jg. 67 (1988), Heft 4, S. 445-447
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    The effects of short-range and long-range order on the energy gaps of (GaAs) 1− xGe 2 x and (GaSb) 1− xGe 2 x
    Davis, L.C. ; Holloway, H.
    In: Solid State Communications, Jg. 64 (1987), Heft 1, S. 121-124
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Electronic structure of holes in modulation doped p-Si 1−xGe x/Si strained quantum wells in a magnetic field
    Rego, Luis G.C. ; Hawrylak, P. ; et al.
    In: Solid State Communications, Jg. 105 (1998), Heft 2, S. 139-144
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A TIN-119 Mössbauer and electrical conductivity study of the system Sn xGe 1- xSe (0 ⩽ x ⩽ 1)
    Abraham, T. ; Juhasz, C. ; et al.
    In: Solid State Communications, Jg. 27 (1978), Heft 11, S. 1185-1187
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    The composition dependence of the gap in amorphous films of Si xGe 1− x, Sb xSe 1− x and As xTe 1− x systems
    Tichý, L. ; Tříska, A. ; et al.
    In: Solid State Communications, Jg. 41 (1982), Heft 10, S. 751-754
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    FQHE states of high mobility n-Si/Si 1−xGe x heterostructures in pulsed magnetic fields
    Dunford, R.B. ; Newbury, R. ; et al.
    In: Solid State Communications, Jg. 96 (1995), Heft 2, S. 57-60
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Superconductivity near the metal insulator transition in quench condensed Al xGe 1−x
    Lesueur, J. ; Dumoulin, L. ; et al.
    In: Solid State Communications, Jg. 66 (1988), Heft 7, S. 723-726
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Raman spectroscopy of dry etched SiSi 1−xGe x quantum dots
    Tang, Y.S. ; Sotomayor Torres, C.M. ; et al.
    In: Solid State Communications, Jg. 94 (1995), Heft 5, S. 369-372
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Surface states of metastable (GaAs) 1− xGe 2 x alloys
    Redfield, Andrew C. ; Bowen, Marshall A. ; et al.
    In: Solid State Communications, Jg. 46 (1983), Heft 5, S. 371-373
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Role of local displacement of Ge ions on structural instability in Pb 1−xGe xTe
    Katayama, S. ; Murase, K.
    In: Solid State Communications, Jg. 36 (1980), Heft 8, S. 707-711
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Ordering in Si 1− xGe x crystals
    Lockwood, D.J. ; Rajan, K. ; et al.
    In: Solid State Communications, Jg. 61 (1987), Heft 8, S. 465-467
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
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