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    LDA + U calculations for 4d impurities in Rb
    ANISIMOV, V. I ; DEDERICHS, P. H
    In: Solid state communications, Jg. 84 (1992), Heft 1-2, S. 241-244
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    First-principles calculations on TiO2 doped by N, Nd, and vacancy
    WANG, Y ; DOREN, D. J
    In: Solid state communications, Jg. 136 (2005), Heft 3, S. 186-189
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Electronic structures of V-doped anatase TiO2
    WANG, Y ; DOREN, D. J
    In: Solid state communications, Jg. 136 (2005), Heft 3, S. 142-146
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Structural and electronic properties of ZnO under high pressures
    AMRANI, B ; CHIBOUB, I ; et al.
    In: Solid state communications, Jg. 137 (2006), Heft 7, S. 395-399
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    First-principle calculations of structural, electronic and optical properties of BaTiO3 and BaZrO3 under hydrostatic pressure
    KHENATA, R ; SAHNOUN, M ; et al.
    In: Solid state communications, Jg. 136 (2005), Heft 2, S. 120-125
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Bandgaps and band bowing in semiconductor alloys
    SANDU, Titus ; IFTIMIE, Radu I
    In: Solid state communications, Jg. 150 (2010), Heft 17-18, S. 888-892
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Role of Coulomb interactions in semicore levels Ga d levels of GaX semiconductors: Implication on band offsets
    CHERIAN, R ; MAHADEVAN, P ; et al.
    In: Solid state communications, Jg. 149 (2009), Heft 41-42, S. 1810-1813
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Phase transition of LaX (X = P, As, Sb and Bi) at high pressure : Theoretical investigation of the structural and electronic properties
    CHARIFI, Z ; ALI HUSSAIN, RESHAK ; et al.
    In: Solid state communications, Jg. 148 (2008), Heft 3-4, S. 139-144
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Ab initio calculation of the properties and pressure induced transition of Sn
    CHUN, YU ; JUNYAN, LIU ; et al.
    In: Solid state communications, Jg. 140 (2006), Heft 11-12, S. 538-543
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Electronic structure of C60-encapsulating semiconducting carbon nanotube
    MIYAKE, Takashi ; SAITO, Susumu
    In: Solid state communications, Jg. 125 (2003), Heft 3-4, S. 201-204
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Ultraviolet photoelectron spectroscopy study of colossal magnetoresistive La0.7-xPrxCa0.3MnO3
    LEE, C.-W ; ZHAO, Y. D ; et al.
    In: Solid state communications, Jg. 123 (2002), Heft 1-2, S. 11-15
    academicJournal
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    Ab-initio studies on the electronic structure of YbPd2Sn
    JEONG, T ; KWON, Y
    In: Solid state communications, Jg. 143 (2007), Heft 8-9, S. 429-431
    academicJournal
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    High pressure phase transition and band structures of different phases in CeO2
    MEHROTRA, Shalini ; SHARMA, Piyush ; et al.
    In: Solid state communications, Jg. 140 (2006), Heft 6, S. 313-317
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Electronic structure of GaAs1-xNx under pressure
    GORCZYCA, I ; CHRISTENSEN, N. E ; et al.
    In: Solid state communications, Jg. 136 (2005), Heft 8, S. 439-449
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Electronic structure of La0.5Ca0.5MnO3
    DE BOER, P. K ; VAN LEUKEN, H ; et al.
    In: Solid state communications, Jg. 102 (1997), Heft 8, S. 621-626
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Electronic structure and hybridization in U2T2In (T = Co, Ni, Pd) intermetallics
    DIVIS, M ; RICHTER, M ; et al.
    In: Solid state communications, Jg. 90 (1994), Heft 2, S. 99-103
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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