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    CMOS and post-CMOS on-chip microwave pulse power detectors : ISDRS 2005: international semiconductor device research symposium
    Jeon, W. ; Melngailis, J.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 50 (2006), Heft 6, S. 951-958
    Konferenz
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    Strained Si CMOS (SS CMOS) technology: opportunities and challenges : International workshop on ultimate integration of silicon; ULIS 3rd
    Rim, K. ; Anderson, R. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 47 (2003), Heft NO 7, S. 1133-1140
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    3D TCAD simulations of strained Si CMOS devices with silicon-based alloy stressors and stressed CESL : International SiGe Technology and Device Meeting ISTDM
    Wang, W. C. ; Chang, S. T. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 53 (2009), Heft 8, S. 880-887
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Low-voltage scaling limitations for nano-scale CMOS LSIs : Ultimate integration on silicon
    Itoh, K. ; Horiguchi, M.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 53 (2009), Heft 4, S. 402-410
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Temperature behavior of spiral inductors on high resistivity substrate in SOI CMOS technology : EUROSOI
    El Kaamouchi, M. ; Delatte, P. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 52 (2008), Heft 12, S. 1915-1923
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Latch-up effects in CMOS inverters due to high power pulsed electromagnetic interference : Semiconductor device research; International symposium: ISDRS 2007
    Kim, K. ; Iliadis, A. A.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 52 (2008), Heft 10, S. 1589-1593
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Band gap engineered resistor for mitigating linear energy transfer sensitivities in scaled submiron CMOS technology SRAM cells : Semiconductor device research; International symposium: ISDRS 2007
    Kanyogoro, E. ; Peckerar, M. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 52 (2008), Heft 10, S. 1555-1562
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Degradation of CMOS image sensors in deep-submicron technology due to g-irradiation : Solid state device research; ESSDERC'07
    Rao, P. R. ; Wang, X. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 52 (2008), Heft 9, S. 1407-1413
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    CMOS image sensors: State-of-the-art : Solid state device research; ESSDERC'07
    Theuwissen, A. J.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 52 (2008), Heft 9, S. 1401-1406
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Anodic Ta2O5 for CMOS compatible low voltage electrowetting-on-dielectric device fabrication : Solid state device research; ESSDERC'07
    Li, Y. ; Parkes, W. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 52 (2008), Heft 9, S. 1382-1387
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Si-nanowire CMOS inverter logic fabricated using gate-all-around (GAA) devices and top-down approach : Solid state device research; ESSDERC'07
    Buddharaju, K. D. ; Singh, N. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 52 (2008), Heft 9, S. 1312-1317
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Achieving low-VT Ni-FUSI CMOS via lanthanide incorporation in the gate stack : Solid state device research; ESSDERC'07
    Veloso, A. ; Yu, H. Y. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 52 (2008), Heft 9, S. 1303-1311
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    45nm/32nm CMOS - Challenge and perspective : Solid state device research; ESSDERC'07
    Ishimaru, K.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 52 (2008), Heft 9, S. 1266-1273
    Konferenz
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    Three-dimensionally stacked poly-Si TFT CMOS inverter with high quality laser crystallized channel on Si substrate : Thin-film transistors TFT
    Oh, S. Y. ; Ahn, C. G. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 52 (2008), Heft NO 3, S. 372-376
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Modeling and system-level simulation of a CMOS convective accelerometer : European solid-state device research conference; ESSDERC '06
    Leman, O. ; Chaehoi, A. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 51 (2007), Heft 11-12, S. 1609-1617
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    CMOS compatible dual metal gate integration with successful V~t~h adjustment on high-k HfTaON by high-temperature metal intermixing : European solid-state device research conference; ESSDERC '06
    Ren, C. ; Chan, D.S.H. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 51 (2007), Heft 11-12, S. 1479-1484
    Konferenz
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    Research directions in beyond CMOS computing : European solid-state device research conference; ESSDERC '06
    Bourianoff, G.I. ; Gargini, P.A. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 51 (2007), Heft 11-12, S. 1426-1431
    Konferenz
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    Device structures and carrier transport properties of advanced CMOS using high mobility channels : Ultimate Integration of Silicon; Papers selected from the 2006 ULIS conference
    Takagi, S. ; Tezuka, T. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 51 (2007), Heft 4, S. 526-536
    Konferenz
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    CMOS 6-T SRAM cell design subject to 'atomistic' fluctuations : Ultimate Integration of Silicon; Papers selected from the 2006 ULIS conference
    Cheng, B. ; Roy, S. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 51 (2007), Heft 4, S. 565-571
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Some issues of hot-carrier degradation and negative bias temperature instability of advanced SOI CMOS transistors : Thematic network on silicon On insulator technology, devices and circuits; EUROSOI'06 conference
    Ioannou, D. P. ; Ioannou, D. E.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 51 (2007), Heft NO 2, S. 268-277
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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