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53 Treffer

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    Uniformity of dc and rf performance of MBE-grown AlGaN/GaN HEMTS on HVPE-grown buffers : Dielectrics in microelectronics; WoDiM 2003
    Gillespie, J. K. ; Fitch, R. C. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 47 (2003), Heft NO 10, S. 1859-1862
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Carrier recombination processes in MOVPE and MBE grown 1.3 mum GaInNAs edge emitting lasers : N-containing III-V semiconductors: fundamentals and applications
    Fehse, R. ; Adams, A. R. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 47 (2003), Heft NO 3, S. 501-506
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Nitrogen-plasma study for plasma-assisted MBE growth of 1.3 mum laser diodes : N-containing III-V semiconductors: fundamentals and applications
    Carrere, H. ; Arnoult, A. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 47 (2003), Heft NO 3, S. 419-424
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Properties of 1.3 mum InGaNAs laser material grown by MBE using a N~2/Ar RF plasma : N-containing III-V semiconductors: fundamentals and applications
    Gupta, J. A. ; Barrios, P. J. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 47 (2003), Heft NO 3, S. 399-406
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Modeling electron mobility in MBE-grown InAs/AlSb thin films for HEMT applications using neural networks : International semiconductor device research symposium
    Triplett, G. ; May, G. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 46 (2002), Heft 10, S. 1519-1524
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    MBE growth of high quality GaN on LiGaO~2 for high frequency, high power electronic applications : Wide bandgap bipolar devices
    Doolittle, W. A. ; Kang, S. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 44 (2000), Heft NO 2, S. 229-238
    Online Konferenz
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Study of current collapse by quiescent-bias-stresses in rf-plasma assisted MBE grown AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors
    Arulkumaran, S. ; Ng, G. I. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 54 (2010), Heft 11, S. 1430-1433
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Uniformity of dc and rf performance of MBE-grown AlGaN/GaN HEMTS on HVPE-grown buffers
    Gillespie, J. K. ; Fitch, R. C. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 47 (2003), Heft 10, S. 1859-1862
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Persistent photoconductivity in ZnCdSe MBE films grown on GaAs
    Hernandez, L. ; Rivera-Alvarez, Z. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 47 (2003), Heft 4, S. 759-762
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Properties of 1.3 mm InGaNAs laser material grown by MBE using a N2/Ar RF plasma
    Gupta, J. A. ; Barrios, P. J. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 47 (2003), Heft 3, S. 399-405
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Carrier recombination processes in MOVPE and MBE grown 1.3 mm GaInNAs edge emitting lasers
    Fehse, R. ; Adams, A. R. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 47 (2003), Heft 3, S. 501-506
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Nitrogen-plasma study for plasma-assisted MBE growth of 1.3 mm laser diodes
    Carrere, H. ; Arnoult, A. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 47 (2003), Heft 3, S. 419-423
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Modeling electron mobility in MBE-grown InAs/AlSb thin films for HEMT applications using neural networks
    Triplett, G. ; May, G. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 46 (2002), Heft 10, S. 1519-1524
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Surface passivation of AlGaN/GaN HEMTs using MBE-grown MgO or Sc2O3
    Luo, B. ; Johnson, J. W. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 46 (2002), Heft 4, S. 467-476
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Effect of gate length on DC performance of AlGaN/GaN HEMTs grown by MBE
    Johnson, J. W. ; Baca, A. G. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 45 (2001), Heft 12, S. 1979-1985
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    The formation of stable ohmic contacts to MBE grown CdTe layers
    Yousaf, M. ; Sands, D. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 44 (2000), Heft 6, S. 923-927
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    MBE growth of high quality GaN on LiGaO'2 for high frequency, high power electronic applications
    Doolittle, W.A. ; Kang, S. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 44 (2000), Heft 2, S. 229-238
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    High performance @d-modulation-doped Si/SiGe heterostructure FET's grown by MBE
    Wu, S.L. ; Chang, S.J.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 43 (1999), Heft 7, S. 1313-1316
    Online serialPeriodical
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A novel wrap-gate-controlled single electron transistor formed on an InGaAs ridge quantum wire grown by selective MBE : Nano Physics and Electronics (NPE 97)
    Okada, H. ; Fujikura, H. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 42 (1998), Heft 7/8, S. 1419-1424
    Online serialPeriodical
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    Low temperature MBE grown AlInAs: investigation of current voltage and low frequency noise behaviour of Schottky diodes
    Meva'a, C. ; Letartre, X. ; et al.
    In: SOLID STATE ELECTRONICS, Jg. 41 (1997), Heft 6, S. 857-864
    Online serialPeriodical
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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