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    Fabrication of high-Ge-fraction strained Si 1−xGe x/Si hole resonant tunneling diode using low-temperature Si 2H 6 reaction for nanometer-order ultrathin Si barriers
    Takahashi, Kuniaki ; Sakuraba, Masao ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 60 (2011), Heft 1, S. 112-115
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Novel method to introduce uniaxial tensile strain in Ge by microfabrication of Ge/Si 1−xGe x structures on Si(0 0 1) substrates
    Mizutani, Takuya ; Nakatsuka, Osamu ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 53 (2009), Heft 11, S. 1198-1201
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Improvement in negative differential conductance characteristics of hole resonant-tunneling diodes with high Ge fraction Si/strained Si 1−xGe x/Si(1 0 0) heterostructure
    Seo, Takahiro ; Takahashi, Kuniaki ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 53 (2009), Heft 8, S. 912-915
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Design and optimization of a buried channel PMOS integrable in a Si 1− xGe x BiCMOS process
    Khare, P. ; Schroder, D. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 51 (2007), Heft 6, S. 828-837
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Performance and physics of sub-50 nm strained Si on Si 1− xGe x-on-insulator (SGOI) nMOSFETs
    Andrieu, F. ; Ernst, T. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 50 (2006), Heft 4, S. 566-572
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analytical model of drain current of strained-Si/strained-Si 1− YGe Y/relaxed-Si 1− XGe X NMOSFETs and PMOSFETs for circuit simulation
    Bindu, B. ; DasGupta, Nandita ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 50 (2006), Heft 3, S. 448-455
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Electron effective mobility in strained-Si/Si 1− xGe x MOS devices using Monte Carlo simulation
    Aubry-Fortuna, V. ; Dollfus, P. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 49 (2005), Heft 8, S. 1320-1329
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Electrical parameters in highly doped strained n-Si 1 − xGe x epilayers grown on Si substrates
    Tsamakis, D. ; Sargentis, Ch. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 48 (2004), Heft 10, S. 2095-2098
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Ellipsometric investigation of strain reduction in Si 1− x− yGe xC y layers compared to Si 1− xGe x layers on silicon
    Mukerjee, Subroto ; Venkataraman, V.
    In: Solid State Electronics, Jg. 45 (2001), Heft 11, S. 1875-1877
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Rapid thermal oxidation of radio frequency sputtered polycrystalline Si 1− xGe x thin films
    Natarajan, A. ; Bera, L.K. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 45 (2001), Heft 11, S. 1957-1961
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Recent critical issues in Si/Si 1− xGe x/Si heterostructure FET devices
    Yousif, M.Y.A. ; Nur, O. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 45 (2001), Heft 11, S. 1931-1937
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Relaxation and photoluminscence of different post-processed Si/Si 1− xGe x quantum well structures grown by CVD
    Myrberg, T. ; Jacob, A.P. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 45 (2001), Heft 11, S. 1915-1919
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Measurement and simulation of boron diffusion in strained Si 1− xGe x epitaxial layers with a linearly graded germanium profile
    Rajendran, K. ; Schoenmaker, W.
    In: Solid State Electronics, Jg. 45 (2001), Heft 11, S. 1879-1884
    academicJournal
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    Direct assessment of relaxation and defect propagation in different as-grown and in situ post-growth annealed thin Ge/Si and step-graded Si 1− xGe x/Si buffer layers
    Yousif, M.Y.A ; Nur, O ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 45 (2001), Heft 11, S. 1869-1874
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Band gap narrowing in strained Si 1−xGe x base on (0 0 1) Si substrate
    Jin, Hai-Yan ; Zhang, Li-Chun
    In: Solid State Electronics, Jg. 45 (2001), Heft 5, S. 697-702
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Estimation of hole mobility in strained Si 1−xGe x buried channel heterostructure PMOSFET
    Kar, G.S ; Ray, S.K ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 45 (2001), Heft 5, S. 669-676
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    An asymmetric Si/Si 1− xGe x channel vertical p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
    Chen, Xiangdong ; Ouyang, Qiqing ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 45 (2001), Heft 2, S. 281-285
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Modeling of complete suppression of boron out-diffusion in Si 1− xGe x by carbon incorporation
    Rajendran, K. ; Schoenmaker, W.
    In: Solid State Electronics, Jg. 45 (2001), Heft 2, S. 229-233
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    On the performance of in situ B-doped P + poly-Si 1−xGe x gate material for nanometer scale MOS technology
    Yousif, M.Y.A ; Friesel, M ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 44 (2000), Heft 8, S. 1425-1429
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Simulation and optimization of strained Si 1−xGe x buried channel p-MOSFETs
    Shi, Zhonghai ; Chen, Xiangdong ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 44 (2000), Heft 7, S. 1223-1228
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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