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    Modeling and system-level simulation of a CMOS convective accelerometer
    Leman, O. ; Chaehoi, A. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 51 (2007-11-01), Heft 11-12, S. 1609-1617
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Design of single-gate n-channel and p-channel MOSFETs with enhanced current-drive due to simultaneous switching of front and back channels in SOI CMOS technology
    Bindu, B. ; Lakshmi, N. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 50 (2006-07-01), Heft 7-8, S. 1359-1367
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A spice-like reliability model for deep-submicron CMOS technology
    Cui, Z. ; Liou, J.J.
    In: Solid State Electronics, Jg. 49 (2005-10-01), Heft 10, S. 1702-1707
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Nanoscale CMOS: potential nonclassical technologies versus a hypothetical bulk-silicon technology
    Kim, Seung-Hwan ; Fossum, Jerry G.
    In: Solid State Electronics, Jg. 49 (2005-04-01), Heft 4, S. 595-605
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of sub-100nm CMOS process using screening experiment technique
    Srinivasaiah, H.C. ; Bhat, Navakanta
    In: Solid State Electronics, Jg. 49 (2005-03-01), Heft 3, S. 431-436
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analytical modeling of CMOS circuit delay distribution due to concurrent variations in multiple processes
    Harish, B.P. ; Bhat, Navakanta ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 50 (2006-07-01), Heft 7-8, S. 1252-1260
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Large-signal modeling of SOI MESFETs
    Balijepalli, A. ; Vijayaraghavan, R. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 50 (2006-06-01), Heft 6, S. 943-950
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Scaling properties of the tunneling field effect transistor (TFET): Device and circuit
    In: Solid State Electronics, Jg. 50 (2006), Heft 1, S. 44-51
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A new multi-valued current-mode adder based on negative-differential resistance using ULP diodes
    Hassoune, Ilham ; Drummond, Alexander ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 49 (2005-07-01), Heft 7, S. 1185-1191
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Optimum location of silicide/Si interface in ultra-thin body SOI MOSFETs with recessed and elevated silicide source/drain contact structure
    Kim, Seong-Dong
    In: Solid State Electronics, Jg. 53 (2009-10-01), Heft 10, S. 1112-1115
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Method of extracting effective channel length for nano-scale n-MOSFETs
    Choi, H.W. ; Lee, N.H. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 53 (2009-10-01), Heft 10, S. 1076-1085
    academicJournal
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    Analysis of the DC-arc behavior of a novel 3D-active fuse
    Vom Dorp, J. ; Berberich, S.E. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 53 (2009-07-01), Heft 7, S. 809-813
    academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Method for 3D electrical parameters dissociation and extraction in multichannel MOSFET (MCFET)
    In: Solid State Electronics, Jg. 53 (2009-07-01), Heft 7, S. 746-752
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Analytical model of short-channel gate enclosed transistors using Green functions
    Lopez, P. ; Hauer, J. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 53 (2009-05-01), Heft 5, S. 514-519
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Finite element analysis and analytical simulations of Suspended Gate-FET for ultra-low power inverters
    Tsamados, Dimitrios ; Chauhan, Yogesh Singh ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 52 (2008-09-01), Heft 9, S. 1374-1381
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Scalable and multibias high frequency modeling of multi-fin FETs
    Crupi, G. ; Schreurs, D. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 50 (2006-11-01), Heft 11-12, S. 1780-1786
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A novel analytical approach to parameter extraction for on-chip spiral inductors taking into account high-order parasitic effect
    Huang, F.Y. ; Lu, J.X. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 50 (2006-09-01), Heft 9-10, S. 1557-1562
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    An optimization technique for parameter extraction of ultra-deep submicron LDD MOSFET's
    Hao, Yue ; Yang, Lin-An ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 50 (2006-09-01), Heft 9-10, S. 1540-1545
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Universal MOSFET gate impedance model for 200MHz-20GHz frequency range
    Bandi, Sri Priya R. ; Washburn, Clyde ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 50 (2006-07-01), Heft 7-8, S. 1450-1460
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Sub-25nm UTB SOI SRAM cell under the influence of discrete random dopants
    Samsudin, K. ; Cheng, B. ; et al.
    In: Solid State Electronics, Jg. 50 (2006-04-01), Heft 4, S. 660-667
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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