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    Poly(vinyl alcohol)-gated junctionless Al-Zn-O phototransistor for photonic and electric hybrid neuromorphic computation.
    Zhao, Yuhang ; Feng, Guangdi ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 165 (2020-03-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Post-deposition annealing challenges for ALD Al0.5Si0.5Ox/n-GaN MOS devices.
    Fernandes Paes Pinto Rocha, P. ; Vauche, L. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 209 (2023-11-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Impact of etching process on Al2O3/GaN interface for MOSc-HEMT devices combining ToF-SIMS, HAXPES and AFM.
    Spelta, Tarek ; Veillerot, Marc ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 208 (2023-10-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    An innovative large scale integration of silicon nanowire-based field effect transistors.
    Legallais, M. ; Nguyen, T.T.T. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 143 (2018-05-01), S. 97-102
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Indium-oxide nanoparticles for RRAM devices compatible with CMOS back-end-off-line.
    León Pérez, Edgar A.A. ; Guenery, Pierre-Vincent ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 143 (2018-05-01), S. 20-26
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Electrical characteristics of silicon percolating nanonet-based field effect transistors in the presence of dispersion.
    Cazimajou, T. ; Legallais, M. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 143 (2018-05-01), S. 83-89
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication and electrical characterization of homo- and hetero-structure Si/SiGe nanowire Tunnel Field Effect Transistor grown by vapor–liquid–solid mechanism.
    Brouzet, V. ; Salem, B. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 118 (2016-04-01), S. 26-29
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Phase-change memory electro-thermal analysis and engineering thanks to enhanced thermal confinement.
    Serra, Anna Lisa ; Lefevre, Gauthier ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 186 (2021-12-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Carbon-doped GeTe: A promising material for Phase-Change Memories
    Betti Beneventi, G. ; Perniola, L. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 65-66 (2011-11-01), S. 197-204
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Comparative study of non-polar switching behaviors of NiO- and HfO<subscript>2</subscript>-based oxide resistive-RAMs
    Jousseaume, V. ; Fantini, A. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 58 (2011-04-01), Heft 1, S. 62-67
    academicJournal
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    Electronic properties of Ge nanocrystals for non volatile memory applications
    Kanoun, M. ; Busseret, C. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 50 (2006-07-01), Heft 7/8, S. 1310-1314
    academicJournal
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    On the saturation mechanism in the Ge nanocrystals-based non-volatile memory
    Kanoun, M. ; Busseret, C. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 50 (2006-05-01), Heft 5, S. 769-773
    academicJournal
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    Analysis of the role of inter-nanowire junctions on current percolation effects in silicon nanonet field-effect transistors.
    Cazimajou, T. ; Mouis, M. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 168 (2020-06-01), S. N.PAG
    academicJournal
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