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    The high temperature DC characteristics of a high voltage lateral insulated-gate bipolar transistors with NPN anode in junction isolation technology.
    Tsai, Ying-Chieh ; Gong, Jeng ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 132 (2017-06-01), S. 80-85
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Electrical behavior of an NPN GaAlAs/GaAs heterojunction transistor.
    Marty, A.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 22 (1979-06-01), S. 549-557
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Electrical behavior of an NPN GaAlAs/GaAs heterojunction transistor.
    Marty, A.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 22 (1979-04-01), S. 417-421
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effect of base resistance of the vertical NPN transistor in I2L structures.
    Kirschner, N.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 20 (1977-07-01), S. 641-646
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Experimental location of the surface and bulk 1/f noise currents in low-noise, highgain NPN planar transistors.
    Knott, K. F.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 16 (1973-12-01), S. 1429-1434
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Anomalous I-V and burst noise characteristics associated with surface channels in an npn integrated transistor.
    Knott, K. F.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 23 (1980-07-02), S. 727-733
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    One-dimensional device model of the npn bipolar transistor including heavy doping effects under Fermi statistics.
    Nakagawa, A.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 22 (1979-11-01), S. 943-949
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Surface and bulk effects in low frequency noise in npn planar transistors.
    Conti, M.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 13 (1970-11-01), S. 1461-1469
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A segmented anode, npn controlled lateral insulated gate bipolar transistor.
    Hardikar, S. ; Xu, Y. Z. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 45 (2001-07-01), Heft 7, S. 1055-1058
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A comparison of npn and pnp profile design tradeoffs for complementary SiGe HBT technology.
    Zhang, Gang ; Cressler, John D. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 44 (2000-11-01), Heft 11, S. 1949-1954
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    RF performance of GaN-based npn bipolar transistors.
    Lee, K. P. ; Dabiran, A. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 47 (2003-09-01), Heft 9, S. 1501-1506
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High-speed InGaP/InGaAsN/GaAs NPN double heterojunction bipolar transistors with low turn-on voltage.
    Chang, P. C. ; Monier, C. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 46 (2002-04-01), Heft 4, S. 581-584
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    npn AlGaN/GaN heterojunction bipolar transistors and GaN bipolar junction transistors with regrown C-doped GaAs in the base regions.
    Dang, G. ; Luo, B. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 44 (2000-12-01), Heft 12, S. 2097-2100
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Trench-proximity effects on collector current in self-aligned NPN and PNP bipolar transistors.
    Lu, P. F. ; Warnock, J. D.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 37 (1994-11-01), S. 1871-1875
    academicJournal
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    Degradation of npn bipolar junction transistors under dynamic high current stress.
    Jang, Sheng-Lyang ; Chang, Ping-Chen
    In: Solid-State Electronics, Jg. 37 (1994-02-01), S. 295-301
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Influence of layer doping and thickness on predicted performance of NPN AlGaN/GaN HBTs.
    Lee, K. P. ; Dabiran, A. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 47 (2003-06-01), Heft 6, S. 969-974
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Factors limiting the current gain in high-voltage 4H-SiC npn-BJTs.
    Ivanov, Pavel A. ; Levinshtein, Michael E. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 46 (2002-04-01), Heft 4, S. 567-572
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    GaAs/Ga0.89In0.11N0.02As0.98 /GaAs NpN double heterojunction bipolar transistor with low turn-on voltage.
    Welty, R. J. ; Xin, H. P. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 46 (2002), Heft 1, S. 1-5
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Simulation of GaN/AlGaN heterojunction bipolar transistors: part I—npn structures.
    Cao, X. A. ; Van Hove, J. M. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 44 (2000-07-01), Heft 7, S. 1255-1259
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Low temperature Rdb measurements and simulations for Si npn transistors.
    Nguyen, P. T. ; Yao, S. S. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 36 (1993-06-01), S. 933-935
    academicJournal
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