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    Silicon nanowires integrated with CMOS circuits for biosensing application
    Jayakumar, Ganesh ; Asadollahi, Ali ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 98 (2014), S. 26-31
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in SwePub (Volltext)
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    Integrated on-chip solid state capacitor based on vertically aligned carbon nanofibers, grown using a CMOS temperature compatible process
    Amin, Muhammad ; Andersson, R. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 139 (2018), S. 75-79
    unknown
    Wie komme ich dran?
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    Integration of GMR-based spin torque oscillators and CMOS circuitry
    Chen, T. ; Eklund, A. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 111 (2015), S. 91-99
    unknown
    Wie komme ich dran?
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    CMOS compatible on-chip decoupling capacitor based on vertically aligned carbon nanofibers
    Saleem, Amin M ; Göransson, Gert ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 107 (2015), S. 15-19
    unknown
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    CMOS compatible on-chip decoupling capacitor based on vertically aligned carbon nanofibers
    Amin, Muhammad ; Göransson, Gert ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 107 (2015), S. 15-19
    unknown
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Integration of GMR-based spin torque oscillators and CMOS circuitry
    Chen, Tingsu ; Eklund, Anders ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 111 (2015), S. 91-99
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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    CMOS integration of epitaxial Gd(2)O(3) high-k gate dielectrics
    Gottlob, H. D. B. ; Echtermeyer, T. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 50 (2006), Heft 6, S. 979-985
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext
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    Electrical characterization of thulium silicate interfacial layers for integration in high-k/metal gate CMOS technology
    Dentoni Litta, Eugenio ; Hellström, Per-Erik ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 98 (2014), S. 20-25
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    The effects of impurity redistribution of the subthreshold leakage current in CMOS n-channel transistors
    Jeppson, Kjell ; Gates, James
    In: Solid-State Electronics, Jg. 19 (1976), Heft 1, S. 83-85
    unknown
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Impact of pattern dependency of SiGe layers grown selectively in source/drain on the performance of 22 nm node pMOSFETs
    Wang, G. ; Moeen, Mahdi ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 114 (2015), S. 43-48
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Threshold voltage control in TmSiO/HfO2 high-k/metal gate MOSFETs
    Dentoni Litta, Eugenio ; Hellström, Per-Erik ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 108 (2015), S. 24-29
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Navigation aids in the search for future high-k dielectrics: Physical and electrical trends
    Engstrom, O. ; Raeissi, B. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 51 (2007), Heft 4, S. 622-626
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Integration of highly-strained SiGe materials in 14 nm and beyond nodes FinFET technology
    Wang, Guilei ; Abedin, Ahmad ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 103 (2015), S. 222-228
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Investigation of MOS capacitors and SOI-MOSFETs with epitaxial gadolinium oxide (Gd2O3) and titanium nitride (TiN) electrodes
    Echtermeyer, T. ; Gottlob, H. D. B. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 51 (2007), Heft 4, S. 617-621
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Threshold voltage control for PMOSFETs using an undoped epitaxial Si channel and a p(+)-SixGe1-x gate
    Hellberg, Per-Erik ; Zhang, Shi-Li ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 44 (2000), Heft 11, S. 2085-2088
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Nanoelectromechanical digital logic circuits using curved cantilever switches with amorphous-carbon-coated contacts
    Ayala, Christopher L. ; Grogg, Daniel ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 113 (2015), S. 157-166
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Mobility in graphene double gate field effect transistors
    Lemme, Max C. ; Echtermeyer, T. J. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 52 (2008), Heft 4, S. 514-518
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Large scale integration of graphene transistors for potential applications in the back end of the line
    Smith, Anderson D. ; Vaziri, Sam ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 108 (2015), S. 61-66
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Pressure sensors based on suspended graphene membranes
    Smith, Anderson D. ; Vaziri, Sam ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 88 (2013), S. 89-94
    Online unknown
    Zugriff:
    Volltext
    Wie komme ich dran?
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