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    Behaviour of TFMS and CPW line on SOI substrate versus high temperature for RF applications
    Si Moussa, M. ; Pavageau, C. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 50 (2006-11-01), Heft 11/12, S. 1822-1827
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Substrate loss mechanisms for microstrip and CPW transmission lines on lossy silicon wafers
    Lederer, Dimitri ; Raskin, Jean-Pierre
    In: Solid-State Electronics, Jg. 47 (2003-11-01), Heft 11, S. 1927-1936
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Small signal modeling of high electron mobility transistors on silicon and silicon carbide substrate with consideration of substrate loss mechanism.
    Sahoo, A.K. ; Subramani, N.K. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 115 (2016), S. 12-16
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High-resistivity silicon-based substrate using buried PN junctions towards RFSOI applications.
    Moulin, M. ; Rack, M. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 194 (2022-08-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A laser patterned zero bias Au/Al2O3/Mo metal-insulator-metal diode rectifier for RF detection.
    Shriwastava, Shilpi ; Singh Arya, Dhairya ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 171 (2020-09-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effects of boron doping on non-linear properties of SOI with embedded polycrystalline silicon layer for RF applications.
    Wei, Xing ; Zhu, Lei ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 164 (2020-02-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Tunable low-pass MEMS filter using defected ground structures (DGS).
    Guo, X.L. ; Xu, C. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 94 (2014-04-01), S. 28-31
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Advanced Si-based substrates for RF passive integration: Comparison between local porous Si layer technology and trap-rich high resistivity Si.
    Sarafis, P. ; Hourdakis, E. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 87 (2013-09-01), S. 27-33
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High-resistivity with PN interface passivation in 22 nm FD-SOI technology for low-loss passives at RF and millimeter-wave frequencies.
    Nyssens, L. ; Rack, M. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 205 (2023-07-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Miniature and tunable millimeter-wave lowpass filter with MEMS switch
    Guo, X.L. ; Jin, Y.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 63 (2011-09-01), Heft 1, S. 145-148
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    RF characterization and isolation properties of mesoporous Si by on-chip coplanar waveguide measurements
    Contopanagos, H. ; Zacharatos, F. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 52 (2008-11-01), Heft 11, S. 1730-1734
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Extraction of second harmonic from the In0.53Ga0.47As planar Gunn diode using radial stub resonators.
    Ismaeel, Mohamed ; Khalid, Maricar A. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 99 (2014-09-01), S. 38-40
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    High quality silicon-based substrates for microwave and millimeter wave passive circuits.
    Belaroussi, Y. ; Rack, M. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 135 (2017-09-01), S. 78-84
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    RF SOI CMOS technology on 1st and 2nd generation trap-rich high resistivity SOI wafers.
    Kazemi Esfeh, B. ; Kilchytska, V. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 128 (2017-02-01), S. 121-128
    academicJournal
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    A high dynamic range power sensor based on GaAs MMIC process and MEMS technology.
    Yi, Zhenxiang ; Liao, Xiaoping
    In: Solid-State Electronics, Jg. 115 (2016), S. 39-46
    academicJournal
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    High-power electro-mechanical behavior of a capacitive microwave power sensor with warped cantilever beam.
    Li, Jian-hua ; Liao, Xiaoping
    In: Solid-State Electronics, Jg. 172 (2020-10-01), S. N.PAG
    academicJournal
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