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    A macro model of RF Schottky diode in 22-nm CMOS and its application
    Jiang, Yanfeng ; Yu, Pingping ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 154 (2019-04-01), S. 7-11
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    Cryogenic characterization and modeling of a CMOS floating-gate device for quantum control hardware
    Prati, Enrico ; Ferrari, Giorgio ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 189 (2022-03-01), S. 108190-108190
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    Interconnect effects on thermal resistance of CMOS-SOI transistors in microwave power integrated circuits
    Alluri, Sravya ; Jayamon, Jefy A. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 186 (2021-12-01), S. 108149-108149
    Online unknown
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    Monolithic integration of GMR sensors for standard CMOS-IC current sensing
    A. De Marcellis ; Freitas, Paulo P. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 135 (2017-09-01), S. 100-104
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    Large-scale CMOS-compatible process for silicon nanowires growth and BC8 phase formation
    Quaranta, S. ; Irrera, Fernanda ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 186 (2021-12-01), S. 108093-108093
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    28 nm CMOS process ESD protection based on diode-triggered silicon controlled rectifier
    Guo, Wei ; Jin, Hao ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 137 (2017-11-01), S. 128-133
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    The prospects of transition metal dichalcogenides for ultimately scaled CMOS
    Granzner, Ralf ; Thiele, S. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 143 (2018-05-01), S. 2-9
    Online unknown
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    Comprehensive understanding of dark count mechanisms of single-photon avalanche diodes fabricated in deep sub-micron CMOS technologies
    Xu, Yux ; Xiang, Ping ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 129 (2017-03-01), S. 168-174
    Online unknown
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    A high-speed lateral PIN polysilicon photodiode on standard bulk CMOS process
    Chen, Diping ; Zeng, Yun ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 129 (2017-03-01), S. 61-65
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Design of embedded SCR device to improve ESD robustness of stacked-device output driver in low-voltage CMOS technology
    Yan Lian Chiu ; Lin, Chun-Yu
    In: Solid-State Electronics, Jg. 124 (2016-10-01), S. 28-34
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    An ultra-wideband CMOS PA with dummy filling for reliability
    Luhmann, Neville C. ; Domier, Calvin ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 129 (2017-03-01), S. 125-133
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Investigation of electrical characteristics of flexible CMOS devices fabricated with thickness-controlled spalling process
    Noh, Yeho ; Jung, Jaedong ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 173 (2020-11-01), S. 107901-107901
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Reconfigurable field effect transistor for advanced CMOS: Advantages and limitations
    Navarro, Carlos ; Lacord, Joris ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 128 (2017-02-01), S. 155-162
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    A 1.36 μW 312–315 MHz synchronized-OOK receiver for wireless sensor networks using 65 nm SOTB CMOS technology
    Hoang, Minh-Thien ; Sugii, Nobuyuki ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 117 (2016-03-01), S. 161-169
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Study of drain-extended NMOS under electrostatic discharge stress in 28 nm and 40 nm CMOS process
    Jin, Hao ; Zhong, Lei ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 116 (2016-02-01), S. 80-87
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Attainment of dual-band edge work function by using a single metal gate and single high-k dielectric via ion implantation for HP CMOS device
    Xu, Gaobo ; Xiaoxun, Wang ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 115 (2016), S. 26-32
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Integration of GMR-based spin torque oscillators and CMOS circuitry
    Chen, Tingsu ; Rodriguez, Saul ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 111 (2015-09-01), S. 91-99
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Novel logic device for CMOS standard I/O cell with tolerance to total ionizing dose effects
    Cho, Seong-Ik ; Lee, Minwoong ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 162 (2019-12-01), S. 107630-107630
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Effects of shallow trench isolation on low frequency noise characteristics of source-follower transistors in CMOS image sensors
    Kwon, Sung-Kyu ; Song, Hyeong-Sub ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 119 (2016-05-01), S. 29-32
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    In-situ heater for thermal assist recovery of MOS devices in 28 nm UTBB FD-SOI CMOS technology
    Galy, Ph. ; Lethiecq, R. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 168 (2020-06-01), S. 107737-107737
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