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    A defect-based compact modeling approach for the reliability of CMOS devices and integrated circuits
    ESQUEDA, Ivan S ; BARNABY, Hugh J
    In: Solid-state electronics, Jg. 91 (2014), S. 81-86
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Silicon nanowires integrated with CMOS circuits for biosensing application
    JAYAKUMAR, G ; ASADOLLAHI, A ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 98 (2014), S. 26-31
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Characterization and modeling of low frequency noise in CMOS inverters
    IOANNIDIS, E. G ; HAENDLER, S ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 81 (2013), S. 151-156
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    An approach based on neural computation to simulate the nanoscale CMOS circuits: Application to the simulation of CMOS inverter
    DJEFFAL, F ; CHAHDI, M ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 51 (2007), Heft 1, S. 48-56
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A unified analytical and scalable lumped model of RF CMOS spiral inductors based on electromagnetic effects and circuit analysis
    SALIMY, Siamak ; GOULLET, Antoine ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 61 (2011), Heft 1, S. 38-45
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A high-speed lateral PIN polysilicon photodiode on standard bulk CMOS process.
    Zou, Wanghui ; Xia, Yu ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 129 (2017-03-01), S. 61-65
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Demonstration of Conductive Bridging Random Access Memory (CBRAM) in logic CMOS process
    GOPALAN, C ; MA, Y ; et al.
    In: Special Issue Devoted to the 2nd International Memory Workshop (IMW 2010), Jg. 58 (2011), Heft 1, S. 54-61
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of noise in CMOS image sensor based on a unified time-dependent approach
    BROUK, Igor ; NEMIROVSKY, Amikam ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 54 (2010), Heft 1, S. 28-36
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analytical modeling of CMOS circuit delay distribution due to concurrent variations in multiple processes
    HARISH, B. P ; BHAT, Navakanta ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 50 (2006), Heft 7-8, S. 1252-1260
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Well-behaved 4H-SiC PMOSFET with LOCal oxidation of SiC (LOCOSiC) isolation structure and compromised gate oxide for Sub-10V SiC CMOS application.
    Hung, Chia-Lung ; Tsui, Bing-Yue
    In: Solid-State Electronics, Jg. 166 (2020-04-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    An investigation on RF CMOS stability related to bias and scaling.
    Su, Jiong-Guang ; Wong, Shyh-Chyi ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 46 (2002-04-01), Heft 4, S. 451-458
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Scaling CMOS: Finding the gate stack with the lowest leakage current.
    Kauerauf, Thomas ; Govoreanu, Bogdan ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 49 (2005-05-01), Heft 5, S. 695-701
    academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Impact of technology parameters on device performance of UTB-SOI CMOS.
    Schulz, T. ; Pacha, C. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 48 (2004-04-01), Heft 4, S. 521-527
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Performance assessment of scaled strained-Si channel-on-insulator (SSOI) CMOS.
    Kim, Keunwoo ; Chuang, Ching-Te ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 48 (2004-02-01), Heft 2, S. 239-243
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A fully integrated 2.4 GHz class-E amplifier with a 63% PAE by 0.18 μm CMOS technologies.
    Ho, Chien-Chih ; Kuo, Chin-Wei ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 48 (2004), Heft 1, S. 99-102
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A fully integrated dual-band VCO by 0.18 μm CMOS technologies.
    Ho, Chieh-Chih ; Kuo, Chin-Wei ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 47 (2003-11-01), Heft 11, S. 2015-2018
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    High performance Si/SiGe pMOSFETs fabricated in a standard CMOS process technology.
    Collaert, N. ; Verheyen, P. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 47 (2003-07-01), Heft 7, S. 1173-1177
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    On the structure of the recessed-channel MOSFET for sub-100 nm Si CMOS.
    Tao, Meng ; Varahramyan, Kody
    In: Solid-State Electronics, Jg. 45 (2001-10-01), Heft 10, S. 1805-1808
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Experimental investigation of factors influencing design of small-signal CMOS amplifiers.
    Vernon, Emerson ; Bryson, Damian ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 45 (2001), Heft 1, S. 63-69
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Cascoded LVTSCR with tunable holding voltage for ESD protection in bulk CMOS technology without latchup danger.
    Ker, Ming-Dou ; Chang, Hun-Hsien
    In: Solid-State Electronics, Jg. 44 (2000-03-01), Heft 3, S. 425-445
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