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    An equivalent doping profile for CMOS substrate characterization
    QUARESMA, Henrique J ; DOS SANTOS, P. Mendonça ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 79 (2013), S. 185-191
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Optimum bias of power transistor in 0.18 μm CMOS technology for bluetooth application
    HSU, Heng-Ming ; LEE, Tai-Hsing
    In: Solid-state electronics, Jg. 50 (2006), Heft 3, S. 412-415
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Modeling of the degradation of CMOS inverters under pulsed stress conditions from 'on-the-fly' measurements.
    Crespo-Yepes, A. ; Ramos, R. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 184 (2021-10-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High temperature characterization of a CMOS based infra-red source using thermal-incandescence microscopy.
    Pandey, Prakash ; Oxley, Chris ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 166 (2020-04-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Single and compact ESD device Beta-Matrix solution based on bidirectional SCR Network in advanced 28/32 nm technology node
    BOURGEAT, Johan ; GALY, Philippe
    In: Solid-state electronics, Jg. 87 (2013), S. 34-42
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Measurement of generation parameters on Ru/HfO2/Si MOS capacitor
    TAPAJNA, M ; HARMATHA, L ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 50 (2006), Heft 2, S. 177-180
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Small signal model and analog performance analysis of negative capacitance FETs.
    Eslahi, Hossein ; Hamilton, Tara J. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 186 (2021-12-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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