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    A macro model of RF Schottky diode in 22-nm CMOS and its application
    Jiang, Yanfeng ; Yu, Pingping ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 154 (2019-04-01), S. 7-11
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    Cryogenic characterization and modeling of a CMOS floating-gate device for quantum control hardware
    Prati, Enrico ; Ferrari, Giorgio ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 189 (2022-03-01), S. 108190-108190
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    Interconnect effects on thermal resistance of CMOS-SOI transistors in microwave power integrated circuits
    Alluri, Sravya ; Jayamon, Jefy A. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 186 (2021-12-01), S. 108149-108149
    Online unknown
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    Monolithic integration of GMR sensors for standard CMOS-IC current sensing
    A. De Marcellis ; Freitas, Paulo P. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 135 (2017-09-01), S. 100-104
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    Large-scale CMOS-compatible process for silicon nanowires growth and BC8 phase formation
    Quaranta, S. ; Irrera, Fernanda ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 186 (2021-12-01), S. 108093-108093
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    PMOS junction optimization for 3D NAND FLASH memory with CMOS under array
    Liao, Jeng-Hwa ; Ko, Zong-Jie ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 202 (2023-04-01), S. 108620-108620
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    Integrated on-chip solid state capacitor based on vertically aligned carbon nanofibers, grown using a CMOS temperature compatible process
    Andersson, Rickard ; Desmaris, Vincent ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 139 (2018), S. 75-79
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    28 nm CMOS process ESD protection based on diode-triggered silicon controlled rectifier
    Guo, Wei ; Jin, Hao ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 137 (2017-11-01), S. 128-133
    Online unknown
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    Poisson-Schrödinger simulation and analytical modeling of inversion charge in FDSOI MOSFET down to 0 K – Towards compact modeling for cryo CMOS application
    Vinet, Maud ; Aouad, M. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 186 (2021-12-01), S. 108126-108126
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    The prospects of transition metal dichalcogenides for ultimately scaled CMOS
    Granzner, Ralf ; Thiele, S. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 143 (2018-05-01), S. 2-9
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    Comprehensive understanding of dark count mechanisms of single-photon avalanche diodes fabricated in deep sub-micron CMOS technologies
    Xu, Yux ; Xiang, Ping ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 129 (2017-03-01), S. 168-174
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A high-speed lateral PIN polysilicon photodiode on standard bulk CMOS process
    Chen, Diping ; Zeng, Yun ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 129 (2017-03-01), S. 61-65
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    Graph-based Compact Modeling (GCM) of CMOS transistors for efficient parameter extraction: A machine learning approach
    Gaidhane, Amol D. ; Yang, Ziyao ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 201 (2023-03-01), S. 108580-108580
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Investigation on holding voltage of asymmetric DDSCR with floating heavy doping in 0.18 μm CMOS process
    Guan, Wenjie ; Wang, Yang ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 199 (2023), S. 108486-108486
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Design of embedded SCR device to improve ESD robustness of stacked-device output driver in low-voltage CMOS technology
    Yan Lian Chiu ; Lin, Chun-Yu
    In: Solid-State Electronics, Jg. 124 (2016-10-01), S. 28-34
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    An ultra-wideband CMOS PA with dummy filling for reliability
    Luhmann, Neville C. ; Domier, Calvin ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 129 (2017-03-01), S. 125-133
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Investigation of electrical characteristics of flexible CMOS devices fabricated with thickness-controlled spalling process
    Noh, Yeho ; Jung, Jaedong ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 173 (2020-11-01), S. 107901-107901
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Reconfigurable field effect transistor for advanced CMOS: Advantages and limitations
    Navarro, Carlos ; Lacord, Joris ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 128 (2017-02-01), S. 155-162
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Simulation-based study on characteristics of dual vertical transfer gates in sub-micron pixels for CMOS image sensors
    Lee, Wook ; Ko, Seonghoon ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 198 (2022-12-01), S. 108472-108472
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A 1.36 μW 312–315 MHz synchronized-OOK receiver for wireless sensor networks using 65 nm SOTB CMOS technology
    Hoang, Minh-Thien ; Sugii, Nobuyuki ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 117 (2016-03-01), S. 161-169
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