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    A defect-based compact modeling approach for the reliability of CMOS devices and integrated circuits
    ESQUEDA, Ivan S ; BARNABY, Hugh J
    In: Solid-state electronics, Jg. 91 (2014), S. 81-86
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    W-band differential power amplifier design in 45 nm low power CMOS
    DEFERM, Noël ; OSORIO, Juan F ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 82 (2013), S. 41-45
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Numerical analysis of the new Implant-Free Quantum-Well CMOS: DualLogic approach
    BENBAKHTI, Brahim ; CHAN, Kahhou ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 63 (2011), Heft 1, S. 14-18
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    A single electron bipolar avalanche transistor implemented in 90 nm CMOS
    WEBSTER, Eric A. G ; RICHARDSON, Justin A ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 76 (2012), S. 116-118
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    High mobility CMOS technologies using III―V/Ge channels on Si platform
    TAKAGI, S ; KIM, S.-H ; et al.
    In: Selected extended papers from ULIS 2012 conference, Jg. 88 (2013), S. 2-8
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    PNP PIN bipolar phototransistors for high-speed applications built in a 180 nm CMOS process
    KOSTOV, P ; GABERL, W ; et al.
    In: Selected Papers from the ESSDERC 2011 Conference, Jg. 74 (2012), S. 49-57
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Compact modeling of CMOS transistors under variable uniaxial stress
    WACKER, Nicoleta ; RICHTER, Harald ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 57 (2011), Heft 1, S. 52-60
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Ultrathin DPN STI SiON liner for 40 nm low-power CMOS technology
    HU, Chan-Yuan ; CHEN, Jone F ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 54 (2010), Heft 5, S. 564-567
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Substrate dependent mobility and strain effects for silicon and SiGe transistor channels with HKMG first stacks
    FLACHOWSKY, S ; HERRMANN, T ; et al.
    In: Selected extended papers from ULIS 2012 conference, Jg. 88 (2013), S. 27-31
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A silicon metal-semiconductor-metal photodetector macromodel for circuit simulations
    PANCHERI, Lucio ; SCANDIUZZO, Mauro ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 49 (2005), Heft 2, S. 175-181
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Improvement on diode string structure for 65-nm RF ESD protection
    FEI, MA ; YAN, HAN ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 89 (2013), S. 142-145
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Impact strain engineering on gate stack quality and reliability
    CLAEYS, C ; SIMOEN, E ; et al.
    In: Solid-state electronics, Jg. 52 (2008), Heft 8, S. 1115-1126
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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