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    A macro model of RF Schottky diode in 22-nm CMOS and its application
    Jiang, Yanfeng ; Yu, Pingping ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 154 (2019-04-01), S. 7-11
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    Monolithic integration of GMR sensors for standard CMOS-IC current sensing
    A. De Marcellis ; Freitas, Paulo P. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 135 (2017-09-01), S. 100-104
    Online unknown
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    Integrated on-chip solid state capacitor based on vertically aligned carbon nanofibers, grown using a CMOS temperature compatible process
    Andersson, Rickard ; Desmaris, Vincent ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 139 (2018), S. 75-79
    Online unknown
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    Investigation of electrical characteristics of flexible CMOS devices fabricated with thickness-controlled spalling process
    Noh, Yeho ; Jung, Jaedong ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 173 (2020-11-01), S. 107901-107901
    Online unknown
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    Novel logic device for CMOS standard I/O cell with tolerance to total ionizing dose effects
    Cho, Seong-Ik ; Lee, Minwoong ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 162 (2019-12-01), S. 107630-107630
    Online unknown
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    In-situ heater for thermal assist recovery of MOS devices in 28 nm UTBB FD-SOI CMOS technology
    Galy, Ph. ; Lethiecq, R. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 168 (2020-06-01), S. 107737-107737
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    Optimization of deep well gate-controlled dual direction SCR device for ESD protection in 0.5 μm CMOS process
    Yang, Jun ; Wang, Yang ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 161 (2019-11-01), S. 107634-107634
    Online unknown
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    High mobility CMOS: First demonstration of planar GeOI p-FETs with SOI n-FETs
    Y. Le Cunff ; Batude, Perrine ; et al.
    In: Solid-State Electronics, 2011
    Online unknown
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    Feasibility of plasmonic circuits for on-chip interconnects
    Inoue, T. ; Ota, M. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 156 (2019-06-01), S. 33-40
    Online unknown
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    Heavy ion-induced single event effects in active pixel sensor array
    Li, Yudong ; Cai, Yu-Long ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 152 (2019-02-01), S. 93-99
    Online unknown
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    III-V-on-Si transistor technologies: Performance boosters and integration
    Sousa, Marilyne ; Moselund, Kirsten E. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 185 (2021-11-01), S. 108077-108077
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Temperature-dependent performance of Schottky-Barrier FET ultra-low-power diode
    Kloes, Alexander ; Schwarz, Mike ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 184 (2021-10-01), S. 108124-108124
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Two-pulse sub-ns switching scheme for advanced spin-orbit torque MRAM
    Sverdlov, Viktor ; Makarov, Alexander ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 155 (2019-05-01), S. 49-56
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Modeling of the charge transfer in a lateral drift field photo detector
    Driewer, Adrian ; Hosticka, Bedrich ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 126 (2016-12-01), S. 51-58
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    Highly uniform and reliable resistive switching characteristics of a Ni/WO x /p + -Si memory device
    Kim, Tae-Hyeon ; Park, Byung-Gook ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 140 (2018-02-01), S. 51-54
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    Impact of series resistance on the operation of junctionless transistors
    Mouis, Mireille ; Barraud, Sylvain ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 129 (2017-03-01), S. 103-107
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Characterization and modelling of layout effects in SiGe channel pMOSFETs from 14nm UTBB FDSOI technology
    Dutartre, Didier ; Ortolland, Sylvie ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 128 (2017-02-01), S. 72-79
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Analysis and optimisation of lateral thin-film silicon-on-insulator (SOI) PMOS transistor with an NBL layer in the drift region
    Toulon, Gaëtan ; Villard, Bruno ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 70 (2012-04-01), S. 8-13
    Online unknown
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    ESD robustness improving for the low-voltage triggering silicon-controlled rectifier by adding NWell at cathode
    Jin, Xiangliang ; Hao, Shanwan ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 139 (2018), S. 69-74
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Biocompatibility of a quad-shank neural probe
    Minh Quan Tran ; Slaughter, Gymama ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 136 (2017-10-01), S. 113-119
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