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    Monolithic integration of GMR sensors for standard CMOS-IC current sensing
    A. De Marcellis ; Freitas, Paulo P. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 135 (2017-09-01), S. 100-104
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    An ultra-wideband CMOS PA with dummy filling for reliability
    Luhmann, Neville C. ; Domier, Calvin ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 129 (2017-03-01), S. 125-133
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    Integration of GMR-based spin torque oscillators and CMOS circuitry
    Chen, Tingsu ; Rodriguez, Saul ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 111 (2015-09-01), S. 91-99
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    Effects of shallow trench isolation on low frequency noise characteristics of source-follower transistors in CMOS image sensors
    Kwon, Sung-Kyu ; Song, Hyeong-Sub ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 119 (2016-05-01), S. 29-32
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    60-GHz transmit/receive switch using a p–n diode and MOS transistors in 130-nm CMOS
    Kenneth, K. O ; Mao, Chuying
    In: Solid-State Electronics, Jg. 79 (2013), S. 79-86
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    IGBT Scaling Principle Toward CMOS Compatible Wafer Processes
    Omura, Ichiro ; Tanaka, Masahiro
    In: Solid-State Electronics, Jg. 80 (2012-12-20), S. 118-123
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    An approach based on neural computation to simulate the nanoscale CMOS circuits: Application to the simulation of CMOS inverter
    Djeffal, Fayçal ; Hafiane, M.L. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 51 (2007), S. 48-56
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    A study of gateless OTP cell using a 45nm CMOS compatible process
    Chrong Jung Lin ; Shih, H. C. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 53 (2009-10-01), S. 1092-1098
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    Anodic Ta2O5 for CMOS compatible low voltage electrowetting-on-dielectric device fabrication
    Parkes, William ; Hutcheon, N. G. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 52 (2008-09-01), S. 1382-1387
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    Si-nanowire CMOS inverter logic fabricated using gate-all-around (GAA) devices and top-down approach
    Buddharaju, K.D. ; Teo, Selin H. G. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 52 (2008-09-01), S. 1312-1317
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    A high current gain gate-controlled lateral bipolar junction transistor with 90nm CMOS technology for future RF SoC applications
    Lee, I. C. ; Yeh, Wen-Kuan ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 52 (2008-08-01), S. 1140-1144
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    Ultrathin DPN STI SiON liner for 40nm low-power CMOS technology
    Chen, S. C. ; Kay Ming Lee ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 54 (2010-05-01), S. 564-567
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    45nm/32nm CMOS – Challenge and perspective
    Ishimaru, Kazunari
    In: Solid-State Electronics, Jg. 52 (2008-09-01), S. 1266-1273
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    ESD protection design for I/O libraries in advanced CMOS technologies
    Semenov, Oleg ; Somov, Sergei V.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 52 (2008-08-01), S. 1127-1139
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Research directions in beyond CMOS computing
    Bourianoff, George I. ; Nikonov, Dmitri E. ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 51 (2007-11-01), S. 1426-1431
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A single-poly EEPROM cell structure compatible to standard CMOS process
    Sun, Cherng-Yuan ; Lin, Ching-Fang
    In: Solid-State Electronics, Jg. 51 (2007-06-01), S. 888-893
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Impact of metallisation on resistor matching in a 0.35 μm analogue CMOS process
    Lowe, A.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 48 (2004-05-01), S. 697-704
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    CMOS downsizing toward sub-10 nm
    Iwai, Hiroshi
    In: Solid-State Electronics, Jg. 48 (2004-04-01), S. 497-503
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    Silicon on thin BOX (SOTB) CMOS for ultralow standby power with forward-biasing performance booster
    Hiramoto, Toshiro ; Sugii, Nobuyuki ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 53 (2009-07-01), S. 717-722
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    Impact of device scaling on the 1/f noise performance of deep submicrometer thin gate oxide CMOS devices
    Kiat Seng Yeo ; Shao-Fu Sanford Chu ; et al.
    In: Solid-State Electronics, Jg. 50 (2006-07-01), S. 1219-1226
    Online unknown
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